| 主权项 |
1.一种半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,系一种形状记忆金属或结合另一种金属之形状记忆金属,该金属在正常测试或老化接触负载下塑性变形及具有一个在老化温度或在老化温度之上的转变温度。2.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中该形状记忆合金系镍与钛或钴之一之合金。3.根据申请专利范围第2项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中合金系42至48重量百分比之钛,其余为镍。4.根据申请专利范围第3项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中合金系45重量百分比之钛,其余为镍。5.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其包括排列该弹簧触点于一测试板的装置。6.根据申请专利范围第5项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中排列该弹簧触点的该装置系一种具有实质地接近该进行测试或老化的晶圆之热膨胀系数的材料。7.根据申请专利范围第6项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中排列该弹簧触点的该装置系选自不变钢、矽或玻璃陶瓷。8.一种用于微电子测试或老化装置的弹簧触点,系一种在正常测试或老化接触负载下塑性变形及具有一个在老化温度或在老化温度之上的转变温度的形状记忆金属或结合另一种金属之形状记忆金属。9.根据申请专利范围第8项之弹簧触点,其由42至48重量百分比之钛与其余为镍的合金制成。10.根据申请专利范围第9项之弹簧触点,其中合金系45重量百分比之钛,其余为镍。11.一种半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,系一种形状记忆金属或结合另一种金属之形状记忆金属,该金属在正常测试或老化接触负载下塑性变形及具有一个在老化温度或在老化温度之下的转变温度。12.根据申请专利范围第11项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中合金系为镍合金及钛或钴之一。13.根据申请专利范围第12项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中合金系45重量百分比之钛,其余为镍。14.根据申请专利范围第11项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其包括排列该弹簧触点于一测试板的装置。15.根据申请专利范围第14项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中排列该弹簧触点的该装置系一种具有实质地接近该进行测试或老化的晶圆之热膨胀系数的材料。16.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆测试和/或老化弹簧触点,其中排列该弹簧触点的该装置系选自不变钢、矽或玻璃陶瓷。17.一种用于微电子测试或老化装置的弹簧触点,系一种在正常测试或老化接触负载下塑性变形及具有一个在老化温度或在老化温度之下的转变温度的形状记忆金属或结合另一种金属之形状记忆金属。18.根据申请专利范围第17项之弹簧触点,其由42至48重量百分比之钛与其余为镍的合金制成。19.一种用于微电子测试或老化装置的弹簧触点,系一种在老化之后的冷却期间塑性变形的形状记忆金属或结合另一种金属之形状记忆金属,该形状记忆金属具有一个在老化温度或在老化温度之下的转变温度。20.一种利用弹簧触点改善半导体晶圆测试及/或老化装置的方法,包含下列步骤:以一种形状记忆金属或该形状记忆金属与另一种金属取代该弹簧触点,该形状记忆金属系选自在测试或老化条件下塑性变形及具有在老化温度或在老化温度之上的转变温度的形状记忆合金和在测试或老化条件下塑性变形及具有在老化温度或在老化温度之下的转变温度的形状记忆金属。图式简单说明:第一图系在静止或在变形之下的接触弹簧之概要表示。第二图系显示单一弹簧之力量-位移特性曲线的图。第三图系根据本发明的弹簧之力量位移图。第四图系根据本发明的装置之横截面概要表示。第五图系根据本发明的一可行具体实施例之概要横截面表示。第六图系说明根据本发明的复合弹簧的概要表示。 |
