| 主权项 |
1.一种电子元件之积层体之制造装置,其特征为,具 有: 含有无机物粉末及有机结合材之自立性生片之 起卷部; 卷取上述自立性生片,而予以叠层用之柱状辊; 使卷取于柱状辊之生片之层间之不致于偏离地 将各层间予以固定之用之固定装置; 为了于卷取于柱状辊之生片上形成备有规定之 图样之内部导电层之用之图样形成部;以及 对于形成于被卷取于柱状辊上之某一周绕之生 片G1上之规定之图样而用于定位将形成于邻接于 该生片G1上而被叠层之下次序之周绕之生片G2上之 与G1上之图样相同之图样之位置之图样定位部;而 构成者。2.如申请专利范围第1项所述之电子元件 之积层体之制造装置,其中起卷部(1)之有机结合材 系超高分子量聚乙烯。3.如申请专利范围第1项所 述之电子元件之积层体之制造装置,其中起卷部(1) 之生片系空孔率为占有1-80容积%之一轴指向生片 者。4.如申请专利范围第1项所述之电子元件之积 层体之制造装置,其中,柱状辊(2)系其周面为形成 顺畅之凸面之柱体,多角柱状或板状体者。5.如申 请专利范围第1项所述之电子元件之积层体之制造 装置,其中该固定装置(3)系藉热而对于被叠层之生 片之层间予以固定者。6.如申请专利范围第1项所 述之电子元件之积层体之制造装置,其中图样形成 部(4)乃,藉由转印而对于卷取于柱状辊之生片上形 成规定之图样者。7.如申请专利范围第1项所述之 电子元件之积层体之制造装置,其中形成于被卷取 于柱状辊上之某一周绕之生片G1上之规定之图样 系由四边形之直线的配列所成,该四边形即以较该 平行于该配列方向之一边之长度为短的间隔地被 配列,并且在于邻接于该生片G1上所叠层之下次序 周绕之生片G2上,以同配列且将覆盖G1上之图样之 上述配列所邻接之四边形间之间隔地于上述配列 上使之挪移地予以形成者。8.如申请专利范围第7 项所述之电子元件之积层体之制造装置,其中规定 之图样系由四边形之直线的配列之复数列所成者 。9.一种电子元件之积层体之制造装置,其特征为, 具有: 含有无机物粉末及有机结合材,且具有在其上形 成内部导电部用之规定之图样之自立性生片之起 卷部; 卷取上述自立性生片而予以叠层用之柱状辊; 使卷取于柱状辊之生片之层间不致于偏离地将 各层间予以固定用之固定装置,以及 对于形成于被卷取于柱状辊上之某一周绕之生 片G1上之规定之图样,而用于定位将形成于邻接于 该生片G1上而被叠层之下次序之周绕之生片G2上之 与G1上之图样相同之图样之位置之图样定位部; 而构成者。10.如申请专利范围第9项所述之电子元 件之积层体之制造装置,其中起卷部(1)之有机结合 材系超高分子量聚乙烯者。11.如申请专利范围第9 项所述之电子元件之积层体之制造装置,其中起卷 部(1)系空孔率为占有1-80%容量%之二轴指向生片者 。12.如申请专利范围第9项所述之电子元件之积层 体之制造装置,其中,柱状辊(2)系其周面为形成顺 畅之凸面之柱体,多角柱状或板状体者。13.如申请 专利范围第9项所述之电子元件之积层体之制造装 置,其中该固定装置(3)系藉热而对于被叠层之层间 予以固定者。14.如申请专利范围第9项所述之电子 元件之积层体之制造装置,其中形成于被卷取于柱 状辊上之某一周绕之生片G1上之规定之图样系由 四边形之直线的指列所成,该四边形即以较该平行 于该指列方向之一边之长度为短的间隔地被配列, 并且在于邻接于该生片G1上所叠层之次序周绕之 生片G2上,以同配列且覆盖G1上之图样之上述配列 所邻接之四边形间之间隔地于上述配列上使之挪 移地予以形成者。15.如申请专利范围第14项所述 之电子元件之积层体之制造装置,其中规定之图样 系由四边形的配列之复数列所成者。16.如申请专 利范围第9项所述之电子元件之积层体之制造装置 ,其中更包含有令使被卷取于柱状辊之生片之层间 予以密着用之压接装置者。17.一种陶瓷电容器用 之积层体之制造装置,具有: 含有无机物粉末及有机结合材之自立性生片之 起卷部; 卷取上述自立性生片而予以叠层用之柱状辊; 使卷取于柱状辊之生片之层间之不致于偏离地 将各层间予以固定用之固定装置; 为了使卷取于柱状辊之生片之层间密接之用之 压接装置; 为了使卷取于柱状辊之生片上形成备有规定之 图样之内部导电层之用之图样形成部;以及 对于形成于被卷取于柱状辊上之某一周绕之生 片G1上之规定之图样而用于定位将形成于邻接于 该生片G1上而被叠层之下次序之周绕之生片G2上之 与G1上之图样相同之图样位置之图样定位部;而构 成为其特征者。18.一种电子元件之积层体之制造 方法,主要系将含有无机物粉末及有机结合物而在 其上面备有为形成内部导电层用之规定之图样之 自立性生片,复数次的卷绕于柱状辊以资制造电子 元件之积层体之制造方法中,其特征为: 对于形成于被卷绕于柱状辊之某一周绕之生片G1 上之规定之图样而用于使将形成于邻接于该生片G 1上而被叠层之下次序之周绕之生片G2上之与G1上 之图样相同之图样之能呈显一定地位置关系地,于 生片G1上将生片G2予以邻接地卷绕者。19.如申请专 利范围第18项所述之电子元件之积层体之制造方 法,其中为辅助邻接地被卷绕之生片G1及G2上所形 成之规定之图样与图样之能呈显一定之关系,再包 括藉热来固定生片G1与G2之过程者。20.如申请专利 范围第18项所述之电子元件之积层体之制造方法, 其中形成于被卷取于柱状辊之某一周绕之生片G1 上之图样乃由四边形之直线的配列之一列或复数 列所成,该四边形即以较该平行于该配列方向之一 边之长度为短的间隔地被配列,并且令卷绕于G1上 之下次序周绕之生片G2之四边形据位于,上述配列 所邻接之四边形间之间隔上,且覆盖该间隔状地卷 绕生片G2以资在于邻接之生片G1,G2之规定之图样间 形成一定之位置关系。21.如申请专利范围第18项 所述之电子元件之积层体之制造方法,其中使用, 预先在自立性生片上形成有,为形成内部导电层用 之规定之图样而成之自立性生片者。22.如申请专 利范围第18项所述之电子元件之积层体之制造方 法,其中于不备有为形成内部导电层用之规定之图 样之某一周绕之自立性生片G1上,将下次序之自立 性生片G2之邻接地予以卷绕之前实施为形成内部 导电层用之规定之图样者。23.如申请专利范围第 18项所述之电子元件之积层体之制造方法,其中有 机结合材系超高分子量聚乙烯者。24.如申请专利 范围第18项所述之电子元件之积层体之制造方法, 其中生片乃空孔率占1-80%容积%之二轴指向生片者 。25.如申请专利范围第18项所述之电子元件之积 层体之制造方法,其中柱状辊系周面为形成顺畅之 凸面之柱体,多角柱体或板状体者。26.如申请专利 范围第18项所述之电子元件之积层体之制造方法, 其中藉由转印而对于被卷绕于柱状辊之不备有内 部导电层之自立性生片上形成内部导电层之规定 之图样者。27.如申请专利范围第18项所述之电子 元件之积层体之制造方法,其中再实施,将被卷绕 于柱状辊之积层体施予加热缓和处理以资使它之 在于200℃之叠层面内之收缩率为1%以下之过程者 。28.如申请专利范围第18项或第27项所述之电子元 件之积层体之制造方法,其中再实施,将卷绕于柱 状辊之积层体施加于静水压压制之过程者。29.一 种电子元件之积层体之制造方法,主要系将含有无 机物粉末及有机结合材而且在其上部备有为形成 内部导电层之规定之图样之自立性生片,复数次卷 绕于柱状辊以资制造电子元件之积层体之制造方 法中,其特征为: 对于卷绕于柱状辊上之某一周绕之生片G1上所形 成之规定之图样,而形成于邻接于该生片G1地被卷 绕之下次序周绕之生片G2上之与G1上之图样相同之 图样之能呈显一定之位置之位置关系地,于生片G1 上邻接地卷绕生片G2之过程,接着将下述二个过程 之其中之一或二个过程依上述记述之顺序地予以 实施者, 将所获得之卷绕于柱状辊之积层体施予加热处 理使200℃下之叠层面内之收缩率为1%以下之过程, 将卷绕于柱状辊之积层体施予静水压压制之过 程。30.一种陶瓷电容器之制造方法,主要系使用将 含有陶瓷粉末及超高分子量聚乙烯之自立性生片 复数回地卷绕于柱状辊之积层体而制造陶瓷电容 器之方法中,其特征为: 对于形成于被卷绕于柱状辊之某一周绕之生片G1 上之规定之图样,而将形成于邻接于该生片G1地被 卷绕之下次序周绕之生片G2上之,与G1上之图样相 同之图样之能成为一定之位置关系地,对生片G1上 邻接地卷绕生片G2, 而本例中对于生片G1上之规定之图样之形成乃,对 于不备有为形成内部导电层用之规定之图样之自 立性生片G1上,使下次序周绕之自立性生片G2之被 邻接地予以卷绕之前予以实施, 并且规定之图样乃由较四边形之直线的配列之一 列或复数列所成,该四边形即以平行于该配列之一 边之长度为短之间隔地被配列,并且于上述配列所 邻接之四边形间之间隔上,且覆盖该间隔地令卷绕 于生片G1上之下次序周绕之生片G2之四边形予以据 位地卷绕生片G2,以资于邻接之生片G1及G2之规定之 图样间形成上述之一定之位置关系者。31.如申请 专利范围第30项所述之陶瓷电容器之制造方法,其 中为了辅助形成于邻接地卷绕于生片G1及生片G2上 之规定之图样与图样之成为一定之位置之关系,而 藉由热来固定生片G1及生片G2之固定之过程者。32. 如申请专利范围第30项所述之陶瓷电容器之制造 方法,其中更包含,为了使邻接地被卷绕之生片G1及 G2密着起见,在于生片G2上形成规定之图样之前将 生片G1及G2加压于叠层方向之过程者。33.如申请专 利范围第30项所述之陶瓷电容器之制造方法,其中 更实施将卷绕于柱状辊之积层体施予加热缓和处 理,使它之200℃之叠层面内之收缩率使之为1%以下 之过程者。34.如申请专利范围第30项或33项所述之 陶瓷电容器之制造方法,其中更实施对于卷绕于柱 状辊之积层体施予静水压压制之过程者。图式简 单说明: 第一图乃说明本发明之制造装置之一例之整体之 构成用之说明图。 第二图乃依本发明所制造之叠层陶瓷电容器之一 例之剖面图。 第三图乃为说明本发明之制造装置之例不同之其 他之例之整体之构成用之说明图。 |
