磨光方法,半导体装置之制造方法及半导体制造装置

摘要

本发明之课题系提供一种研磨方法:使用由研磨速度大的新颖材料构成的研磨剂;及，利用化学机械研磨法(CMP)使半导体基板之被研磨膜平坦化的半导体装置之制造方法;及，用于此方法之半导体制造装置。研磨系使用研磨剂进行，该研磨剂系分散从氮化矽、碳化矽及碳(石墨)所选择的一种材料构成的研磨粒子。此外，此研磨剂适用于化学机械研磨法(CMP)，研磨半导体基板上的被研磨材料。此外，在半导体基板上形成和研磨剂相同材料的阻绝膜，以相同材料研磨研磨剂和阻绝膜，使研磨速度提高。供应研磨布25上的半导体基板的加工点来自管38的研磨剂时，也供应来自管39的由离子水构成的分散剂。藉由此研磨剂和分散剂在此加工点使其一体化，研磨剂不会劣化。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:具备 在半导体基板主面形成阻绝膜的制程; 选择地蚀刻前述阻绝膜及半导体基板主面,在此半 导体基板上形成沟部的制程; 包含前述沟部内及前述阻绝膜上,在前述半导体基 板主面上沈积被研磨膜的制程;及, 使用研磨布,一面供应此研磨布的加工点研磨剂, 该研磨剂系分散由从氮化矽、碳化矽及石墨所选 择的一种材料构成的研磨粒子,一面将前述被研磨 膜研磨到前述阻绝膜露出为止,将前述被研磨膜埋 入前述沟部的制程, 其中前述阻绝膜系由和前述研磨粒子之材料同一 材料构成。2.根据申请专利范围第1项之半导体装 置之制造方法,其中和前述研磨剂共同供应前述加 工点离子水。3.一种半导体制造装置,其特征在于: 具备 使研磨布固定于表面的研磨盘; 使前述研磨盘旋转的第一驱动机构; 固定形成被研磨膜和阻绝膜的半导体基板的吸附 盘; 使前述吸附盘旋转的第二驱动机构;及, 供应前述研磨布研磨剂的机构,该研磨剂系分散由 从氮化矽、碳化矽及石墨所选择的一种材料构成 的研磨粒子者。4.一种半导体制造装置,其特征在 于:具备 使研磨布固定于表面的研磨盘; 使前述研磨盘旋转的第一驱动机构; 固定半导体基板的吸附盘,该半导体基板系形成被 研磨膜和由从氮化矽、碳化矽及石墨所选择的一 种材料构成的阻绝膜; 使前述吸附盘旋转的第二驱动机构;及, 供应前述研磨布研磨剂的机构,该研磨剂系分散含 有和前述阻绝膜之材料同一材料的研磨粒子者。5 .根据申请专利范围第3或4项之半导体制造装置,其 中更具备供应离子水的机构。6.一种研磨方法,其 特征在于:具备 在基板表面形成阻绝膜的制程; 在前述阻绝膜上及前述基板表面上形成被研磨膜 的制程;及, 使用研磨剂研磨前述被研磨膜的制程,该研磨剂系 分散由和前述阻绝膜相同材料构成的研磨粒子者 。图式简单说明: 第一图(a)、(b)为说明第一发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第二图(a)、(b)为说明第一发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第三图(a)、(b)为说明第一发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第四图(a)、(b)为说明第一发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第五图为说明第一发明实施形态的研磨的半导体 基板截面图。 第六图(a)、(b)为说明第二发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第七图(a)、(b)为说明第二发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第八图(a)、(b)为说明第二发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第九图(a)、(b)为说明第二发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第十图(a)、(b)为说明第二发明实施形态的研磨的 半导体基板截面图。 第十一图(a)、(b)为说明第二发明实施形态的研磨 的半导体基板截面图。 第十二图为说明第二发明实施形态的研磨的半导 体基板截面图。 第十三图(a)、(b)、(c)为说明第三发明实施形态的 研磨的半导体基板截面图。 第十四图(a)、(b)为说明第三发明实施形态的研磨 的半导体基板截面图。 第十五图(a)、(b)为第四发明实施形态的研磨装置 透视图及截面图。 第十六图为本发明及习知研磨装置的截面图。 第十七图(a)、(b)为说明习知研磨方法的半导体基 板制程截面图。 第十八图(a)、(b)为说明习知研磨方法的半导体基 板制程截面图。 第十九图(a)、(b)为说明习知研磨方法的半导体基 板制程截面图。 第二十图(a)、(b)为说明习知研磨方法的半导体基 板制程截面图。