发明名称 晶圆加热方法与采用该方法之装置
摘要 本发明提供一种晶圆加热方法与采用该方法之装置。该方法包括下列步骤:产生欲被供应至一晶圆之热;将热传送至其相藉由加热或冷却而变成气态或液态之流体热介质;藉由将蒸气与固体热介质接触,而将热从其相已被热变成蒸气之流体热介质传送到固体热介质;在流体热介质不能被固体热介质加热后,将流体热介质的气相变成液相;以及使用已从呈气态之流体热介质吸热之固体热介质来加热晶圆。在此方法中,稳定加热晶圆而给定非常小的热偏差大大地减少在晶圆上与被形成在晶圆上之光阻薄膜上的热冲击强度,更特别地,晶圆可以被以一规律且均匀的温度分布加热。
申请公布号 TW428224 申请公布日期 2001.04.01
申请号 TW088122012 申请日期 1999.12.15
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 朴赞勋
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种晶圆加热方法,系包含下列步骤:产生欲被供应至一晶圆之热;将热传送至其相藉由加热或冷却而变成气态或液态之一流体热介质;藉由将蒸气与一固体热介质接触,而将热从其相已被热变成蒸气之该流体热介质传送到该固体热介质;在该流体热介质不能被该固体热介质加热后,将该流体热介质的气相变成液相;以及使用已从呈气态之该流体热介质吸热之该固体热介质来加热该晶圆。2.如申请专利范围第1项之晶圆加热方法,其中复数个分隔物被装设在该固体热介质与一热源之间,并且该流体热介质被含装在被该等分隔物划分之区域中。3.如申请专利范围第1项之晶圆加热方法,其中复数个分隔物被设置,该等复数个分隔物系形成一界定复数个经划分的空间之格状体。4.如申请专利范围第3项之晶圆加热方法,其中一接触一热源之耐热多孔体被设置在该格状体之该等经划分的空间中,并且该流体热介质被含装在该耐热多孔体之空孔中。5.如申请专利范围第1项之晶圆加热方法,其中一用以含装该流体热介质之多孔体被插放在该固体热介质与该热源之间。6.如申请专利范围第5项之晶圆加热方法,其中该多孔体为一单体。7.如申请专利范围第5或6项之晶圆加热方法,其中该多孔体稳固地附着至该热源与该固体热介质至少一者的内部表面上。8.如申请专利范围第1项之晶圆加热方法,其中一密闭凹槽被设置在该热源与该固体热介质之间,并且该流体热介质被含装在该密闭凹槽中。9.如申请专利范围第8项之晶圆加热方法,其中该凹槽在该热源与该固体热介质的至少一者之内部表面中被形成。10.如申请专利范围第8或9项之晶圆加热方法,其中该凹槽形成一密闭回路。11.如申请专利范围第8或9项之晶圆加热方法,其中复数个独立密闭凹槽被设置。12.如申请专利范围第1项之晶圆加热方法,其中一密闭凹槽被设置在该热源与该固体热介质之间,并且一用以收纳该流体热介质的冠状体被装设在该凹槽中。13.如申请专利范围第12项之晶圆加热方法,其中复数个接触该流体热介质之翼片在该冠状体内被形成。14.一种晶圆加热装置,系包含:一热源;一固体热介质,于其上一晶圆被安装;以及一流体热介质,其系被含装在一在该固体热介质与该热源之间的密闭空间中,并且藉由加热或冷却而在气态或液态之间改变相。15.如申请专利范围第14相之晶圆加热装置,其中复数个分隔物被装设在该固体热介质与该热源之间,并且该流体热介质被含装在被该等分隔物划分之区域中。16.如申请专利范围第15项之晶圆加热装置,其中复数个分隔物被设置,该等复数个分隔物系形成一界定复数个经划分的空间之格状体。17.如申请专利范围第15项之晶圆加热装置,其中该等经划分之空间为复数个被形成在该固体热介质或该热源之内部表面中的凹槽。18.如申请专利范围第15项之晶圆加热装置,其中一接触一热源之耐热多孔体被设置在该格状体之该等经划分的空间中,并且该流体热介质被含装在该耐热多孔体之空孔中。19.如申请专利范围第14项之晶圆加热装置,其中一用以含装该流体热介质之多孔体被插放在该固体热介质与该热源之间。20.如申请专利范围第19项之晶圆加热方法,其中该多孔体为一单体。21.如申请专利范围第19或20项之晶圆加热装置,其中该多孔体稳固地附着至该热源与该固体热介质至少一者的内部表面上。22.如申请专利范围第14项之晶圆加热装置,其中一密闭凹槽被设置在该热源与该固体热介质之间,并且该流体热介质被含装在该密闭凹槽中。23.如申请专利范围第22项之晶圆加热装置,其中该凹槽在该热源与该固体热介质的至少一者之内部表面上被形成。24.如申请专利范围第22或23项之晶圆加热装置,其中该凹槽形成一密闭回路。25.如申请专利范围第22或23项之晶圆加热装置,其中复数个独立的密闭凹槽被设置。26.如申请专利范围第14项之晶圆加热装置,其中一密闭凹槽被设置在该热源与该固体热介质之间,并且一用以收纳该流体热介质的冠状体被装设在该凹槽中。27.如申请专利范围第26项之晶圆加热装置,其中复数个接触该流体热介质之翼片在该冠状体内被形成。图式简单说明:第一图为被应用至一传统烘烤单元上之加热源件的示意横截面图;第二图为例示第一图所示之加热装置之加热器布置结构平面图;第三图为例示第一图所示之加热装置之加热器布置结构的部分横截面图;第四图为一被传统加热装置加热之晶圆表面的温度分布图;第五图为显示当晶圆正被一传统加热装置加热时,相对于时间之晶圆区域温度上的变化图;第六图显示在一晶圆上之温度测量点,该晶圆系被一传统晶圆加热装置加热以得到第五图之结果;第七图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第一实施例的示意横截面图;第八图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第一实施例之热源的横截面图;第九图为第八图所示之热源的部分放大图;第十图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第二实施例的示意侧视图;第十一图A为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第三实施例的示意透视图;第十一图B为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第四实施例的格状体之示意透视图;第十二图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第五实施例之示意侧视图;第十三图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第六实施例的示意侧视图;第十四图为根据本发明之晶圆加热装置之第七实施例的示意横截面图;第十五图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第七实施例之固体热介质的底视图;第十六图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第八实施例的示意横截面图;第十七图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第九实施例的部分选取横截面图;第十八图为根据本发明之晶圆加热方法与装置之第十实施例之冠状体的示意横截面图;第十九图为一被根据本发明之加热装置加热的晶圆之表面温度分布图;第二十图为另一被根据本发明之加热装置加热的晶圆之表面温度分布图;以及第二十一图为显示当一晶圆被根据本发明之加热装置加热时,由复数个测量点所得到之温度-时间变化图。
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