| 主权项 |
1.一种DRAM单元之电容器的制造方法,包含以下各步骤:形成场效电晶体构造于一矽基板之上,其中每一个该场效电晶体构造包含一闸极氧化物、一闸极(第一复晶矽层)、及源极/汲极区;形成一第一介电层,覆盖于该矽基板之表面上;部分蚀刻该第一介电层,以形成连通至该场效电晶体之源极区的一接触窗;形成一第二复晶矽层,覆盖于该第一介电层之上,并填满整个该接触窗;形成一化学氧化物层,于该第二复晶矽层上方;形成一粗糙复晶矽层,覆盖于该化学氧化物层之上;对该粗糙复晶矽层执行一HF浸泡步骤,以移除该粗糙复晶矽层之表面上的一自然生成氧化膜;部分蚀刻该粗糙复晶矽层、该化学氧化物层、及该第二复晶矽层,以在其中形成一开口;形成一电容器介电层,覆盖于该粗糙复晶矽层上;与形成一第三复晶矽层,覆盖于该电容器介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学氧化物层系藉由将晶片浸泡在H2SO4与H2O2所形成的SPM溶液而形成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该粗糙复晶矽层系藉由形成一非晶矽层于该化学氧化物层上方并接着回火而形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该HF浸泡步骤系使用1%HF溶液、及浸泡时间大约在20至40秒之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二复晶矽层的厚度范围在1500至2500埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学氧化物层的厚度范围在15至20埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该粗糙复晶矽层的厚度范围在700至1000埃之间。图式简单说明:第一图为显示储存电极的概要剖面图;第二图为显示层叠式电容器的概要剖面图;第三图为显示DRAM的概要剖面图;第四图为第一图所示之A区的放大图;第五图为第四图所示之A区被蚀刻之后所得到之构造的概要剖面图;第六图为第二图所示之B区的放大剖面图;第七图为第三图所示之C区的放大剖面图;及第八图A至第八图D为显示采用本发明之方法后所得到之构造的概要剖面图。 |
