| 摘要 |
本发明是关于一种电阻式铁电性记忆体单胞,其是由选择电晶体和记忆体电容器所构成,电容器之一个电极(PL)是处于一种固定之单胞板电压处且另一电极(SN)是与选择电晶体之具有第一导电型式之第一区(1)相连接,选择电晶体和记忆体电容器是设置在第二导电型式(其与第一导电型式相反)之半导体基体中，其特征为:在记忆体电容器之另一电极(SN)和固定之单胞板电压之间设置一种电阻(FOX;FOX,10;ll),须测定此电阻之电阻值R2,使满足R3<<R2<<R1其中 Rl=介于选择电晶体之第一区(l)和半导体基体之间之pn-接面之反向电阻值 R3=在选择电晶体在导通状态时介于其第一区(l)和其具有第一导电型式之第二区之间的电阻值。 |
| 主权项 |
1.一种电阻式铁电性记忆体单胞,其是由选择电晶体和记忆体电容器所构成,电容器之一个电极(PL)是处于一种固定之单胞板电压处且另一电极(SN)是与选择电晶体之具有第一导电型式之第一区(1)相连接,选择电晶体和记忆体电容器是设置在第二导电型式(其与第一导电型式相反)之半导体基体中,其特征为:在记忆体电容器之另一电极(SN)和固定之单胞板电压之间设置一种电阻(FOX;FOX,10;11),须测定此电阻之电阻値R2,使满足R3<<R2<<R1其中R1=介于选择电晶体之第一区(1)和半导体基体之间之pn-接面之反向电阻値,R3=在选择电晶体在导通状态时介于其第一区(1)和其具有第一导电型式之第二区之间的电阻値。2.如申请专利范围第1项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中选泽电晶体之第一区(1)是汲极区。3.如申请专利范围第1项或第2项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中以厚氧化物-电晶体所形成之电阻是设置在选择电晶体之第一区(1)和半导体基体中之第一导电型式之高掺杂区(7)之间。4.如申请专利范围第1或第2项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中以第一导电型式之轻微掺杂区所形成之电阻是设置在选择电晶体之第一区(1)和半导体基体中之第一导电型式之高掺杂区(7)之间。5.如申请专利范围第3项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中第一导电型式之高掺杂区(7)经由接触插头(6)而与记忆体电容器之一个电极(PL)相连接。6.如申请专利范围第4项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中第一导电型式之高掺杂区(7)经由接触插头(6)而与记忆体电容器之一个电极(PL)相连接。7.如申请专利范围第1或2项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中电阻直接形成在记忆体电容器之一个电极(PL)和另一电极(SN)之间。8.如申请专利范围第7项之电阻式铁电性记忆体单胞,其中电阻是一种高欧姆之多晶式电阻。图式简单说明:第一图含有本发明记忆体单胞之记忆体单胞阵列之电路图。第二图本发明第一实施例之图解,其是以厚氧化物-电晶体作为电阻用。第三图本发明第二实施例之图解,其在电晶体基体之表面中具有反掺杂区以作为电阻用。第四图本发明第三实施例之图解,其在记忆体电容器之电极之间具有一种由多晶矽所构成之高欧姆电阻。 |
