| 主权项 |
1. 一种改良薄膜电晶体之制造方法,改良方法包含 : 形成交错之源极及汲极,包括提供一于该源极中之 开孔, 形成至少二指端自该源极向紧邻该开孔之该汲极 延伸,及 于该汲极上形成至少一指端自介于该二源极指端 间之该汲 极延伸,此处隔开。2. 根据申请专利范围第1项之 方法,其包括形成至少三指 端自该源极延伸,且至少二指端自该汲极延伸,各 该汲极 指端延伸至一对该源极指端之间,但互相隔开。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中包括测试该 源极 及汲极之短路,及藉由切割该源极指端至该短路指 端二侧 的该源极开孔而断开短路之源极指端。4. 根据申 请专利范围第1项之方法,其包括在过长之闸极 绝缘体上形成该源极及汲极,包括藉由沉积闸极金 属、使 该闸极金属阳极化以形成绝缘层且于该阳极化之 绝缘层上 沉积第二绝缘层,而形成该闸极绝缘体。5. 根据申 请专利范围第4项之方法,其包括在形成该源极 及汲极前再使该经阳极化之绝缘层再阳极化。6. 一种改良有源阵列显示器之制造方法,其包括许多 薄 膜电晶体,各电晶体将像素接至显示器中之行及列 ,改善 包含: 形成各包括交错源极及汲极之电晶体,包括提供该 源极中 之开孔,形成至少二指端自该源极向邻近该开孔之 该汲极 延伸,及于该汲极上形成至少一指端自介于该二源 极指端 之该汲极延伸,此处隔开。7. 根据申请专利范围第 6项之方法,其中包括形成各电晶 体,其至少三指端自该源极延伸,且至少二指端自 该汲极 延伸,各该汲极指端于一对该源极指端间延伸,但 与其分 开。8. 根据申请专利范围第6项之方法,其中包括 测试各电晶 体之该源极及汲极的短路,且藉由切割该源极指端 至该短 路指端二侧之该源极开孔,断开短路之源极指端。 9. 根据申请专利范围第6项之方法,其包括在过长 之闸极 绝缘体上形成各电晶体之该源极及汲极,包括藉由 沉积闸 极金属,使该闸极金属阳极化以形成绝缘层,且于 该阳极 化之绝缘层上沉积第二绝缘层,而形成该闸极绝缘 体。10. 根据申请专利范围第9项之方法,其包括在 形成各该 源极与汲极前,使该阳极化之绝缘层再阳极化。11. 根据申请专利范围第9项之方法,其包括在各像素 形 成贮存电容器,且使该电容器接于各该像素及相邻 行线之 间。12. 根据申请专利范围第11项之方法,其包括形 成该贮存 电容器作为该相邻行线之一部份。13. 根据申请专 利范围第12项之方法,其中包括自含有部 份该过长闸极绝缘体之该相邻行线部份上形成该 贮存电容 器。14. 根据申请专利范围第6项之方法,其中包括 形成一使 各像素与邻近像素行线接合之额外电晶体。15. 根 据申请专利范围第6项之方法,其中包括藉由将第 二覆盖之几乎透光金属层覆盖及接至该行线,而形 成过长 之行线。16. 一种改良之薄膜电晶体,包含: 一交错之源极及汲极,其包括该源极中之开孔,至 少二指 端自该源极向相邻该开孔之该汲极延伸,且至少于 该汲极 上之一指端自介于该二源极之该汲极延伸,此处隔 开。17. 根据申请专利范围第16项之电晶体,其中包 括至少三 指端自该源极延伸,且至少二指端自该汲极延伸, 各该汲 极指端于一对该源极指端间延伸,但与其隔开。18. 根据申请专利范围第16项之电晶体,其中包括形成 于 过长闸极绝体上之该源极及汲极,该闸极绝缘体之 形成系 利用第一阳极化金属层以形成绝缘层且于该阳极 化之第一 绝缘层上沉积第二绝缘层。19. 一种改良之有源阵 列显示器,其包括许多薄膜电晶体 ,于显示器中,各电晶体使像素接至行及列线,改良 包含 : 各电晶体包括交错之源极及汲极,包括该源极中之 开孔, 至少二指端自该源极向邻近该开孔之汲极延伸,且 至少该 汲极之一指端自介于该二源极指端间之该汲极延 伸,此处 隔开。20. 根据申请专利范围第19项之显示器,其中 包括各电晶 体具有至少三指端自该源极延伸,且至少二指端自 该汲极 延伸,各该汲极指端于一对该源极指端延伸,但与 其隔开 。21. 根据申请专利范围第19项之显示器,其中包括 各电晶 体之源极及汲极形成于过长之闸极绝缘体上,该闸 极绝缘 体之形成系利用第一阳极化之闸极金属层以形成 绝缘层及 第二沉积之绝缘体形成于该阳极化之第一绝缘层 上。22. 根据申请专利范围第19项之显示器,其中包 括使贮存 电容器连接至各该像素及相邻行线之间。23. 根据 申请专利范围第22项之显示器,其中包括使该贮 存电容器成为该相邻行线之一部份。24. 根据申请 专利范围第23项之显示器,其中包括自含有 部份该过长闸极绝缘体之该相邻行线部份上形成 该贮存电 容器。25. 根据申请专利范围第19项之显示器,其中 包括一额外 之电晶体使各像素连接至相邻像素行线。26. 根据 申请专利范围第19项之显示器,其中包括藉由使 第二之几乎透光的金属覆盖且连接至该列线,而形 成过长 之列线。图示简单说明: 图1为包括本发明电晶体之有源阵列显示器之平面 表示; 图2为本发明电晶体及贮存电容器之一具体实施例 的横截 面图; 图3为图2之电晶体具体实施例的第二横截面图; 图4-10为电晶体及显示器制造步骤之部份平面图; 及 |
