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<P>L'invention propose un registre de colonnes d'une mémoire en circuit intégré, notamment en technologie EEPROM, grâce auquel un procédé d'écriture d'un mot de données de 2P bits dans la mémoire, où p est un nombre entier non nul, comprend les étapes suivantes : 1) effacement de toutes les cellules du mot; 2) chargement de 2q données dans 2q bascules haute tension (HV1, HV3, HV5, HV7) et chargement de 2p -2q autres données dans 2p -2q bascules basse tension (LV0, LV2, LV4, LV6); 3) programmation de 2q cellules de la mémoire (M0, M2, M4, M6) en fonction des données mémorisées dans les 2q bascules haute tension, ainsi que, répétées 2p-q -1 fois, les étapes suivantes : 4) chargement, dans les 2q bascules haute tension, de 2q des autres données qui ont été chargées dans 2q bascules basse tension à l'étape 2); 5) programmation de 2q autres cellules de la mémoire (M1, M3, M5, M7) en fonction des données mémorisées dans les 2q bascules haute tension.</P>
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