| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE A MEMOIRE COMPRENANT UN CIRCUIT INTERNE DE GENERATION D'UNE HAUTE TENSION DE PROGRAMMATION |
| 摘要 |
As the high voltage and low voltage command are applied separately, all access modes can be used at the same time, thus gaining time. |
| 申请公布号 |
FR2769744(B1) |
申请公布日期 |
2001.03.30 |
| 申请号 |
FR19970012871 |
申请日期 |
1997.10.15 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
NAURA DAVID;CHEHADI MOHAMAD |
| 分类号 |
G11C16/30;G11C29/50;(IPC1-7):G11C5/14;G11C16/02 |
主分类号 |
G11C16/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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