METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE CONSISTING OF SILICON-CARBIDE AND COMPRISING A SCHOTTKY CONTACT ON A SURFACE THAT IS PRE-TREATED BY MEANS OF THERMAL OXIDATION AS WELL AS THE USE OF SAID METHOD

摘要

Bei der Herstellung einer SiC-Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Kontakt wird auf einer Oberfläche (21) eines alpha -SiC-Halbleitergebiets (11) eine SiO2-Schutzschicht (150) mittels trockener thermischer Oxidation erzeugt. Nach mindestens einem weiteren Verfahrensschritt wird die SiO2-Schutzschicht (150) im Bereich eines Kontaktfensters (160) wieder entfernt. Dann wird eine Schottky-Kontaktschicht (110) auf die Oberfläche (21) im Bereich des Kontaktfensters (160) aufgebracht.