| 发明名称 | 化学机械研磨组合物 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种用于半导体加工的化学机械研磨组合物,其包含80—99.5重量%的水性介质;0.5—15重量%的研磨颗粒;及0.01—5重量%的阻挡层研磨促进剂,其中该研磨促进剂是包含选自由碳酸盐、硝酸盐、磷酸盐、亚磷酸盐、硫酸盐、及其混合物所组成的组的无机盐类。本发明的化学机械研磨组合物可进一步包含氧化剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1288927A | 申请公布日期 | 2001.03.28 |
| 申请号 | CN99119615.5 | 申请日期 | 1999.09.21 |
| 申请人 | 长兴化学工业股份有限公司 | 发明人 | 李宗和;叶萍 |
| 分类号 | C09K3/14 | 主分类号 | C09K3/14 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 主权项 | 1、一种用于半导体晶片表面上含有金属层、阻挡层、及介电层的复合物中的阻挡层的化学机械研磨组合物，其包含：80-99．5重量％的水性介质；0．5-15重量％的研磨颗粒；及0．01-5．0重量％的研磨促进剂，该研磨促进剂是包含选自由碳酸盐、硝酸盐、磷酸盐、亚磷酸盐、硫酸盐、及其混合物所组成的组的无机盐类。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||