| 发明名称 |
An arrangement for biassing an rf transistor to produce a temperature invariant quiescent current |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2354652(A) |
申请公布日期 |
2001.03.28 |
| 申请号 |
GB20000020542 |
申请日期 |
2000.07.07 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS COMPANY LIMITED |
发明人 |
TERRY * HON;MARK * APPEL |
| 分类号 |
H03F1/30;(IPC1-7):H03F1/30 |
主分类号 |
H03F1/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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