| 发明名称 | 积层陶瓷电子元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 不受由烧成时陶瓷积层体产生的有机物分解气的影响,保持烧成炉内的环境气氛稳定。具有对在内部由陶瓷层7和内部电极5,6数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体3进行烧成的工序。在该烧成工序中,相对于单位时间内送入烧成炉内的陶瓷积层体3的有机物量,以200～1200L/g,最好300～900L/g的环境气流量比,一边将环境气通入烧成炉21内,一边在烧成炉21内对陶瓷积层体13进行烧成。 | ||
| 申请公布号 | CN1289135A | 申请公布日期 | 2001.03.28 |
| 申请号 | CN00126443.5 | 申请日期 | 2000.06.30 |
| 申请人 | 太阳诱电株式会社 | 发明人 | 大盐稔 |
| 分类号 | H01G4/30;H01G4/12;H01G13/00 | 主分类号 | H01G4/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;邰红 |
| 主权项 | 1．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有使在内部由陶瓷层(7)和内部电极(5)、(6)的数层交替积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，以200-1200L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉(21)内，同时在烧成炉(21)内对陶瓷积层体(3)进行烧成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||