| 发明名称 |
POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING LAYER COATED WITH SILICON DIOXIDE IONS AND FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10163493(A) |
申请公布日期 |
1998.06.19 |
| 申请号 |
JP19960312431 |
申请日期 |
1996.11.22 |
| 申请人 |
GYOSEIIN KOKKA KAGAKU IINKAI |
发明人 |
YO SEIHATSU;CHIN TAIJO;KO KENKUN |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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