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1.一种电晶体,该电晶体包括:具第一种导电态之半 导体 层;具第二种导电态之降低表面场区域,形成于前 述半导 体层中;局部氧化之场氧化层,形成于前述降低表 面场区 域的表面,前述降低表面场区域并会自动对齐于这 个局部 氧化之场氧化层;具第一种导电态之井区,形成于 前述半 导体层中;具第二种导电态之源极区,形成于前述 井区中 ,通道区因此被定义于这个源极区的边缘和前述之 降低表 面场区域的第一边缘之间;具第二种导电态的汲极 区,形 成于前述降低表面场区域的第二边缘旁;以及导电 闸极, 被绝缘形成于通道区上方。2.根据申请专利范围 第1项之电晶体,该半导体层为一种 磊晶层,形成于具第一导电态的基底上。3.根据申 请专利范围第1项之电晶体,该汲极区的一个边 缘会自动对准于局部氧化之场氧化层的一个边缘 。4.根据申请专利范围第1项之电晶体,额外包括一 种后闸 极,该后闸极具有第一导电态,形成于井区中,接邻 于源 极的第二边缘。5.根据申请专利范围第1项之电晶 体,第一导电态为P型, 第二导电态为N型。6.一种电晶体制造方法,该方法 包括下列步骤:形成具第 一种导电态之半导体层;形成遮罩于前述半导体层 上,这 个遮罩的开口将暴露出前述半导体层的第一区域; 离子布 植具第二种导电态之杂质于前述半导体层的第一 区域,以 形成降低表面场区域;成长局部氧化之场氧化层于 前述遮 罩所定义的第一区域,前述之降低表面场区域将会 自动对 齐于这个局部氧化之场氧化层;形成导电闸极,并 绝缘于 前述半导体层上,这个闸极将局部占据于前述局部 氧化之 场氧化层上。形成具第一种导电态的井区,接邻于 前述之 自动对准降低表面场区域。形成具有第二种导电 态的原极 区于前述井区中,前述之闸极将位于通道区上方, 这个通 道区被定义于此源极区的第一边缘和前述降低表 面场区域 的第一边缘之间;以及形成具第二种导电态之汲极 区,接 邻于前述之降低表面场区域的第二边缘。7.根据 申请专利范围第6项之方法,形成遮罩的步骤包括 :蒸镀氮化层于该半导体层上;将该氮化层样式化 并蚀刻 以形成开口而暴露出前述第一区域。图式简单说 明:第一 图为先前技艺之具降低表面场区域之横向双扩散 金属氧化 物半导体的剖面图;第二图-第六图为本发明之具 降低表 面场区域之横向双扩散金属氧化物半导体的剖面 图,各图 分别表示制程之各个阶段;第七图为性能模拟的比 较表, 比较的对象为第一图、以及本发明之具降低表面 场区域之 横向双扩散金属氧化物半导体;第八图为崩溃电压 对漂移 距离的关系图,对象为本发明之具降低表面场区域 之横向 双扩散金属氧化物半导体电晶体;第九图为额定导 通电阻 和崩溃电压对P型井到降低表面场区域间距的关系 图,对 象为本发明之具降低表面场区域之横向双扩散金 属氧化物 半导体电晶体;第十图为崩溃电压最佳化后,且崩 溃电压 =70V之等位线图,对象为本发明之具降低表面场区 域之 横向双扩散金属氧化物半导体电晶体;第十一图为 额定导 通电阻和崩溃电压对降低表面场区域的掺杂剂量 的关系图 ,对象为本发明之具降低表面场区域之横向双扩散 金属氧 化物半导体电晶体; |
