发明名称 MASQUE A DEPHASAGE UTILISANT LE CRA1ON COMME MATERIAU DE DEPHASAGE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
摘要 <P>Un masque à déphasage est formé en déposant sur un substrat transparent (70) un matériau de déphasage contenant du chrome (Cr), de l'aluminium (Al), de l'oxygène (O), et de l'azote (N). La transmittivité d'une couche de déphasage (72) du masque à déphasage, qui est une couche en CrAlON, est accrue, et la phase de la lumière d'exposition est déphasée de 180degre à une épaisseur prédéterminée, ce qui fait qu'un motif de photoréserve mince peut être formé. Egalement, la transmittivité de la couche de déphasage (72) vis-à-vis de la lumière d'inspection, qui a une longueur d'onde plus longue que celle de la lumière d'exposition, est relativement faible, ce qui permet une inspection précise du masque. Le masque à déphasage peut être utile dans la photolithographie utilisant une courte longueur d'onde de lumière d'exposition, et dans un dispositif d'inspection utilisant une source de lumière d'inspection ayant une longueur d'onde plus longue que celle de la lumière d'exposition.</P>
申请公布号 FR2798739(A1) 申请公布日期 2001.03.23
申请号 FR20000011797 申请日期 2000.09.15
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 PARK JO HYUN;KIM EUN AH;NO KWANG SOO
分类号 C23C14/04;C23C14/34;G03F1/32;G03F1/68;G03F1/80;H01L21/027 主分类号 C23C14/04
代理机构 代理人
主权项
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