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发明名称 Halbleiter Bauelement mit tiefen Störstellenniveau für Anwendung bei hoher Temperatur
摘要
申请公布号 DE69425030(T2) 申请公布日期 2001.03.22
申请号 DE19946025030T 申请日期 1994.09.21
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 NISHIBAYASHI, YOSHIKI;SHIKATA, SHIN-ICHI;FUJIMORI, NAOJI;KOBAYASHI, TAKESHI
分类号 C30B29/04;H01L29/12;H01L29/15;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/207;H01L29/267;(IPC1-7):H01L29/167;H01L29/227 主分类号 C30B29/04
代理机构 代理人
主权项
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