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<p>Dans des transistors à canaux submicroniques, des effets à canal court, tels qu'une baisse de tension de seuil, sont généralement supprimés au moyen d'un implant en halo (ou poche) dans les régions source/drain dont l'exécution s'effectue conjointement avec l'implantation de diodes électroluminescentes. L'implant en halo réduit toutefois la performance analogique des transistors. Pour combiner la suppression des effets de canal court avec une haute performance analogique, il est suggéré de produire seulement des transistors T1 qui ne sont pas prévus pour des fonctions analogiques avec l'implant en halo (16), et de masquer les transistors T2 analogiques avec un masque (15) placé contre l'implant en halo. Afin d'éviter les effets de canal court dans T2, ce transistor est pourvu d'un canal dont la longueur est plus importante que celle d'un transistor T1.</p> |
