| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines MOS-Feldeffekttransistors |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE19629894(C2) |
申请公布日期 |
2001.03.22 |
| 申请号 |
DE19961029894 |
申请日期 |
1996.07.24 |
| 申请人 |
LG SEMICON CO., LTD. |
发明人 |
SON, JEONG-HWAN;LEE, SANG-DON |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L29/167 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
