| 发明名称 |
Herstellungsverfahren für integrierten Schaltkreis |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69329928(D1) |
申请公布日期 |
2001.03.22 |
| 申请号 |
DE19936029928 |
申请日期 |
1993.11.18 |
| 申请人 |
AT & T CORP., NEW YORK |
发明人 |
LEE, KUO-HUA;YU, CHEN-HUA DOUGLAS |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/322;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/316;H01L21/310;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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