| 主权项 |
1.一种氮化物系化合物半导体之成长方法,其特征在于:在由氮化物系化合物半导体所构成之基板上,使一以通式AlxGa1-xN(0≦x≦1)所示之化合物半导体在约900℃以上之成长温度下成长。2.根据申请专利范围第1项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,前述基板之移位密度约为1106cm-2以下。3.根据申请专利范围第1项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,前述基板之厚度约为30m以上。4.根据申请专利范围第1项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,在前述基板上之化合物半导体的成长中,对前述基板上供给一含有砷之化合物或砷。5.根据申请专利范围第1项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,在前述基板上之化合物半导体的成长中,对前述基板上供给含有磷之化合物或磷。6.一种氮化物系化合物半导体之成长方法,其特征在于:在一由氮化物系化合物半导体所构成之基板上,使通式为InyAlzGa1-y-zN(0<y≦1.0≦z<1.0≦y+z≦1)所示之化合物半导体在约700℃以上的成长温度下成长。7.根据申请专利范围第6项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,前述基板之移位密度约为1106cm-2以下。8.根据申请专利范围第6项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,前述基板之厚度约为30m以上。9.根据申请专利范围第6项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,在前述基板上之化合物半导体的成长中,对前述基板上供给含有砷之化合物或砷。10.根据申请专利范围第6项之氮化物系化合物半导体的成长方法,其中,在前述基板上之化合物半导体的成长中,对前述基板上供给含有磷之化合物或磷。图式简单说明:第一图系概略地显示使用于本发明实施形态中之有机金属化学气相成长装置的构成剖面图。第二图系依本发明实施形态成长之GaN、与、在蓝宝石基板上依习知方法成长之GaN缺陷密度的深度分布比较图。第三图系依本发明实施形态成长之GaN表面粗度的成长温度依存性图。第四图系依本发明实施形态成长之InGaN表面粗度的成长温度依存性图。第五图系在本发明实施形态中之成长层的载体移动度之基板移位密度依存性图。第六图系在本发明实施形态中之基板龟裂的发生率之基板厚度依存性图。第七图系在本发明实施形态中导入As、P所得到之载体密度降低效果。 |
