| 主权项 |
1.一种液晶显示器制造方法,包括下列步骤:(a)利用第一次照相平印术,分别依序沉积第一金层薄膜及第二金属薄膜于TFT及垫区之底层以形成闸电极及闸垫;(b)于其上该闸电极及该闸垫已构成之整个底层面上形成一绝缘薄膜;(c)使用第二次照相平印术构成一半导体薄膜样型于该TFT区之绝缘薄膜上;(d)使用第三次照相平印术于TFT区内构成第三金属薄膜组成之源极及汲极;(e)使用第四次照相平印术于其上源极及汲极已构成之底层上,构成一保护膜样型并露出该汲极之一部份及该闸垫之一部份;以及(f)形成一连接于该汲极之第一像素电极和一连接于该底层之该闸垫上的第二像素电极,该个护薄膜样型系利用第五次照相平印术形成于该底层上。2.如专利申请范围第1项之液晶显示器制造方法,该第一金属薄膜系由铝或铝合金构成,该第二金属薄膜系由耐火金属构成。3.如专利申请范围第2项之液晶显示器制造方法,该第二金属薄膜系由Cr,Ta,Mo及Ti金属群之一所构成。4.如专利申请范围第1项之液晶显示器制造方法,步骤(a)构成该闸电极之步骤包括下列步骤:(a1)按照前述的顺序构成第一及第二金属薄膜;(a2)于该第二金属膜之一部份构成光阻样型;(a3)使用该光阻样型作为光罩,蚀刻该第二金属膜;(a4)复流该光阻样型;(a5)使用该复流光阻样型作为光罩蚀刻该第一金属膜;及(a6)移去该复流光阻样型。5.如专利申请范围第4项之液晶显示器制造方法,该(a3)步骤是过度蚀刻该第二金属膜以产生底割。6.如专利申请范围第4项之液晶显示器制造方法,该复流光阻样型之步骤(a4)是经由多次步骤来完成。7.如专利申请范围第1项之液晶显示器制造方法,其中构成该闸电极之该步骤(a)包括:(a1')于该底层上依序构成第一金属膜及第二金属膜;(a2')于该第二金属膜之一部份构成光阻样型;(a3')利用该光阻样型作为光罩用乾蚀法蚀刻该第二金属膜;及(a4')蚀刻该第一金属膜。8.如专利申请范围第7项之液晶显示器制造方法,该(a3')步骤蚀刻该第2金属膜是采湿式蚀刻。9.如专利申请范围第7项之液晶显示器制造方法,于该步骤(a3')乾蚀刻该第2金属膜后更包括烘该光阻样型之步骤。10.如专利申请范围第1项之液晶显示器制造方法,构成该闸电极之步骤包括:(a1")于该底层上构成第一金属膜及第二金属膜;(a2")于该第2层金属膜之一部份构成光阻样型;(a3")使用该光阻样型作为光罩蚀刻该第二金属膜;(a4")使用已成型之第二金属膜蚀刻该第二金属膜;及(a5")再蚀刻该已成型之第二金属膜。11.如专利申请范围第10项之液晶显示器制造方法,更包括于蚀刻第二金属膜后,及步骤(a4")蚀刻该第一金属膜之前,烘该光阻样型。图式简单说明:第一图至第五图是用来说明根据传统方法制造液晶显示器之方法的截面视图;第六图是用来根据本发明制造液晶显示器方法之光罩样型的略视图;第七图至第十一图是用来说明根据本发明第一具体例制造液晶显示器方法之截面视图;第十二图是闸电极产生底割之截面视图;第十三图至第十六图是用来说明根据本发明第二具体例制造液晶显示器方法之截面视图;第十七图至第十九图是用来说明根据本发明第三具体例制造液晶显示器方法之截面视图;及第二十图至第二十三图是用来说明根据本发明第四具体例制造液晶显示器方法之截面视图。 |
