| 主权项 |
1.一种双闸极介电层的制造方法,其包括:提供一基底,其中该基底包括一第一区域与一第二区域;选择性于该第一区域之基底上,形成一具有高介电常数之介电层;以及进行一热氧化步骤,于该第二区域基底上形成一氧化层,其中该氧化层的厚度大于该介电层的厚度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该具有高介电常数之介电层系选自氮氧化矽、氮化矽、五氧化二钽、与氧化钛所组成的族群之一。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该高介电常数之介电层的厚度约为30埃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该介电层的方法包括化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层的厚度约为60-70埃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一区域与该第二区域具有相反的电性。7.一种双闸极介电层的制造方法,其包括:提供一基底,其中该基底包括一高操作电压元件区与一低操作电压元件区;于该基底上,形成一具有高介电常数之介电层;形成一光阻层,覆盖该低操作电压元件区;以该光阻层为罩幕,去除该高操作电压元件区之介电层;剥除该光阻层;以及进行一热氧化步骤,于该高操作电压元件区基底上形成一氧化层,其中该氧化层的厚度大于该介电层的厚度。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该具有高介电常数之介电层系选自氮氧化矽、氮化矽、五氧化二钽、与氧化钛所组成的族群之一。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该高介电常数之介电层的厚度约为30埃。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中形成该介电层的方法包括化学气相沈积法。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氧化层的厚度约为60-70埃。12.一种双金氧半导体电晶体制造方法,其包括:提供一基底,其中该基底包括一第一区域与一第二区域;选择性于该第一区域之基底上,形成一具有高介电常数之介电层;进行一热氧化步骤,于该第二区域基底上形成一氧化层,其中该氧化层的厚度大于该介电层的厚度;分别于该第一区域基底上形成一第一闸极,于该第二区域基底上形成一第二闸极;分别于该第一闸极与该第二闸极两旁之基底中,形成一第一轻掺杂区与一第二轻掺杂区;分别于该第一闸极与该第二闸极侧壁上,形成一第一间隙壁与一第二间隙壁;以及分别于该第一间隙壁与该第二间隙壁外之基底中形成一第一重掺杂区与一第二重掺杂区。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一区域与该第二区域具有相反的电性。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一区域与该第一区域具有相反的电性。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该具有高介电常数之介电层系选自氮氧化矽、氮化矽、五氧化二钽、与氧化钛所组成的族群之一。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该高介电常数之介电层的厚度约为30埃。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中形成该介电层的方法包括化学气相沈积法。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该氧化层的厚度约为60-70埃。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示习知一种双闸极介电层的制造流程剖面图;第二图A至第二图D绘示依照本发明较佳实施例之一种双闸极介电层的制造流程剖面图;以及第三图A至第三图C绘示依照本发明较佳实施例之一种双金氧半导体电晶体的制造流程剖面图。 |
