| 主权项 |
1.一种多晶矽层上之阻障层及黏着层的制造方法,其步骤包括:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一闸极氧化层;在该闸极氧化层上形成一多晶矽层;在该多晶矽层上形成一金属层;在该金属层上形成一氮化金属层;在该氮化金属层上形成一第一矽化金属层;以及经过回火步骤后,该金属层会形成一第二矽化金属层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该闸极氧化层的方法包括:热氧化法和化学气相沉积法。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该多晶矽层的方法为低压化学气相沉积法,温度控制在约600℃至650℃左右,而压力约在0.3torr至0.6torr之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该金属层的方法,系以磁控直流溅镀的方式来进行,使用氩气作为气体源,而沉积的厚度约在200埃至500埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该氮化金属层的方法包括:氮化反应法和反应性溅镀法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层与该氮化金属层系作为阻障层及黏着层之用,其可阻挡氟原子,防止其扩散到该闸极氧化层和该多晶矽层的界面,而影响该闸极氧化层的厚度。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层系为钛金属层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化金属层系为氮化钛层,作为阻障层及黏着层之用的氮化钛层厚度,大约在500埃至1500埃之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一矽化金属层系为矽化钨层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中形成该矽化钨层的方法系以化学气相沉积法,并以氟化钨作为钨的气体源,藉着与矽甲烷,在300℃至400℃间进行化学反应,而其操作压力约在0.3torr至1.0torr之间。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二矽化金属层系在回火步骤后,由该金属层分别与该多晶矽层,以及该矽化金属层中的矽进行反应而形成。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二矽化金属层系为矽化钛层,其可降低闸极中多晶矽化金属的电阻値。13.一种多晶矽层上之阻障层及黏着层的结构,其结构包括:一半导体基底;一闸极氧化层,在该半导体基底上;一多晶矽层,在该闸极氧化层上;一导电层,在该多晶矽层上;一氮化金属层,在该导电层上;以及一矽化金属层,在该氮化金属层上。14.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该导电层包括钛金属层。15.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该导电层包括矽化钛层。16.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该氮化金属层系为氮化钛层。17.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该矽化金属层系为矽化钨层。18.如申请专利范围第13项所述之结构,其中位于该多晶矽层和该矽化金属层之间的该导电层与该氮化金属层,系作为阻障层及黏着层之用。图式简单说明:第一图至第二图系依据传统式制造MOS闸极的方法,形成的闸极与其缺点的剖面示意图;以及第三图至第六图系依据本发明之一较佳实施例,制造MOS闸极中多晶矽层上之阻障层及黏着层的方法,并进而形成闸极的剖面示意图。 |
