| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体基板,其特征为;在基板上依序堆积由与构成闸极端子、源极端子以及像素电极之铟锡氧化膜可以电气连接之金属形成之底层金属膜,及构成闸极配线、源极配线以及汲极电极之铝膜,及铝氧化膜,以及绝缘膜,由上述绝缘膜表面通过上述绝缘膜与上述铝氧化膜与上述铝膜,形成到达上述底层金属膜之接触孔,在上述绝缘膜上以及上述接触孔内形成铟锡氧化膜,上述接触孔内形成之铟锡氧化膜与上述底层金属膜电气地连接。2.如申请专利范围第1项记载之薄膜电晶体基板,其中上铝氧化膜系藉由使用臭氧水之上述铝膜之氧化处理而形成者。3.如申请专利范围第1项记载之薄膜电晶体基板,其中上述铝氧化膜系藉由在氧化环境中之对上述铝膜之紫外线照射而形成者。4.一种液晶显示装置,其特征为:在相向配置之一对基板之间包夹液晶,一对基板之其中一方为如申请专利范围第1项记载之薄膜电晶体基板者。图式简单说明:第一图系本实施形态例之薄膜电晶体基板1之部份剖面图。第二图系显示本实施形态例之薄膜电晶体基板1之制造工程概略图。第三图系显示利用本实施形态例之薄膜电晶体基板之反射形液晶显示装置之一例之概略图。第四图系就未处理之铝膜、以臭氧水处理之铝膜、以臭氧水与紫外线处理之铝膜,测定表面之突起之高度与密度之图表。第五图系显示就变更氧化条件之3种类的试料,在铝膜与导电层之间附加电压及该电压之导通数之图表。第六图系显示一般的薄膜电晶体型液晶显示装置之薄膜电晶体部份之概略图。 |
