制造适用于镶嵌制程的焊垫以及大块金属结构的方法

摘要

本发明揭示一种制造适用于镶嵌制程的焊垫以及大块金属结构的方法，其步骤包括:提供一覆盖有基底之绝缘层;以反相微影程序(reverse-tone)及蚀刻技术定义该绝缘层，在大块金属结构预定区形成复数个具某种形状的绝缘隔离岛;利用化学气相沉积法形成一金属层于该基底上,此金属层必须沟填该些绝缘隔离岛之间的沟渠;其后再施一平坦化处理，以该些绝缘隔离岛为终点，去除多余的金属层，便可形成适用于镶嵌制程的焊垫以及电子电路中的大块金属。此焊垫结构可顺利地量取元件的电性,亦可使含大块金属的电子电路工作。

主权项

1.一种大块金属结构之制程,其步骤包括:提供一基底,其包含有复数个相间隔的绝缘隔离岛构成之大块金属结构预定区;利用化学气相沉积法形成一金属层于该基底上,并且沟填该些绝缘隔离岛之间的沟渠;以及施一平坦化处理,以该些绝缘隔离岛为终点,去除多余的金属层。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该绝缘隔离岛之材料系选自所有绝缘材料所构成之族群。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该金属层之材料系选自所有导电材料所构成之族群。4.如申请专亦范围第1项所述之制程,其中该些绝缘隔离岛之形状系圆柱形。5.如申请专亦范围第1项所述之制程,其中该些绝缘隔离岛之形状系多角形。6.如申请专利范围第5项所述之制程,其中该些绝缘隔离岛之形状系四方形。7.如申请专利范围第5项所述之制程,其中该些绝缘隔离岛之形状系六角形。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该平坦化步骤系利用化学机械研磨法完成。图式简单说明:第一图A-第一图B显示的乃是习知一种金属层之沟填以及平坦化的剖面制程。第二图A-第二图C显示的乃是根据本发明之大块金属实施例的剖面制程。第三图及第三′图显示的是第二图A-第二图C中之区域100的鸟瞰图。