| 摘要 |
关于化学机械研磨后之晶片的清洗方法于此被揭露。首先,用一旋转刷轮刷洗此晶片,以大致除去晶片上残留的颗粒;再以超音波清洗的方式处理晶片;加入一电解质于一去离子水中,电解质必须对制程无害且溶于去离子水中而成为离子;然后，利用此加入电解质的水，清洗晶片,以彻底移除晶片上残留的颗粒与电荷;及将晶片以一乾燥程序处理。亦可以下列程序进行清洗步骤,先以一超音波清洗程序处理晶片;再以一旋转刷轮刷洗晶片,以大致除去晶片上残留的颗粒;接着，加入一电解质于一去离子水中,此电解质必须对制程无害且溶于此去离子水中而成为离子;然后利用此已加入电解质的水，清洗晶片，以彻底移除晶片上残留的颗粒与电荷;最后,将晶片以一乾燥程序处理。 |
| 主权项 |
1.一种一晶片经化学机械研磨后的清洗方法,至少包含:以一旋转刷轮刷洗该晶片,以大致除去该晶片上残留的颗粒;以超音波清洗的方式处理该晶片;加入一电解质于一去离子水中,该电解质必须对制程无害且溶于该去离子水中而成为离子;利用已加入该电解质的该去离子水,清洗该晶片,以彻底移除该晶片上残留的颗粒与电荷;及将该晶片以一乾燥程序处理。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之旋转刷轮的材质至少包含一有机聚合物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之有机聚合物至少包含尼龙(nylon)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之超音波清洗系将该晶片上的颗粒以超音波振荡的原理使之脱离该晶片表面而清除。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之电解质至少包含二氧化碳。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之电解质至少包含一气体电解质。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之气体电解质至少包含二氧化碳气体。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述加入该电解质后的该去离子水,其pH値约为5至6左右。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之乾燥程序至少包含旋乾(spin drying)。10.一种一晶片经化学机械研磨后的清洗方法,至少包含:以一超音波清洗程序处理该晶片;以一旋转刷轮刷洗该晶片;加入一电解质于一去离子水中,该电解质必须对制程无害且溶于该去离子水中而成为离子;利用已加入该电解质的该去离子水,清洗该晶片,以彻底移除该晶片上残留的颗粒与电荷;及将该晶片以一乾燥程序处理。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之旋转刷轮的材质至少包含一有机聚合物。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之有机聚合物至少包含尼龙(nylon)。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之超音波清洗程序系将该晶片上的颗粒以超音波振荡的原理使之脱离该晶片表面而清除。14.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之电解质至少包含二氧化碳。15.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之电解质至少包含一气体电解质。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之气体电解质至少包含二氧化碳气体。17.如申请专利范围第10项之方法,其中上述加入该电解质后的该去离子水,其pH値约为5至6左右。18.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之乾燥程序至少包含旋乾(spin drying)。19.一种半导体制程中之化学机械研磨暨清洗的方法,至少包含:将一晶片置于一研磨垫上,该晶片之研磨面与该研磨垫接触,且于此接触面加入研浆(slurry);将该晶片于该研磨垫上旋转且移动,且藉该研浆以研磨该晶片之研磨面以平坦化;以一旋转刷轮刷洗该晶片,以大致除去晶片上残留的颗粒;以超音波清洗的方式处理该晶片;加入一二氧化碳气体于一去离子水中,该二氧化碳气体溶于该去离子水中而成为离子;利用已加入该二氧化碳气体的该去离子水,清洗该晶片,以彻底移除该晶片上残留的颗粒与电荷;及将该晶片以一乾燥程序处理。20.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之旋转刷轮的材质至少包含一有机聚合物。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之有机聚合物至少包括尼龙(nylon)。22.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之超音波清洗系将该晶片上的颗粒以超音波振荡的原理使之脱离该晶片表面而清除。23.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之二氧化碳气体系直接利用气压打入该去离子水中而溶解。24.如申请专利范围第19项之方法,其中上述加入该二氧化碳后的该去离子水,其pH値约为5至6左右。25.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之乾燥程序至少包含旋乾(spin drying)。26.一种半导体制程中之化学机械研磨暨清洗的方法,至少包含:将一晶片置于一研磨垫上,该晶片之研磨面与该研磨垫接触,且于此接触面加入研浆(slurry);将该晶片于该研磨垫上旋转且移动,且藉该研浆以研磨该晶片之研磨面以平坦化;以一超音波清洗程序处理该晶片;以一旋转刷轮刷洗该晶片;加入一二氧化碳气体于一去离子水中,该二氧化碳气体溶于该去离子水中而成为离子;利用已加入该二氧化碳的该去离子水,清洗该晶片,以彻底移除该晶片上残留的颗粒与电荷;及将该晶片以一乾燥程序处理。27.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之旋转刷轮的材质至少包含一有机聚合物。28.如申请专利范围第27项之方法,其中上述之有机聚合物至少包含尼龙(nylon)。29.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之超音波清洗程序系将该晶片上的颗粒以超音波振荡的原理使之脱离该晶片表面而清除。30.如申请专利范围第26项之方法,其中上述加入该二氧化碳后的该去离子水,其pH値约为5至6左右。31.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之乾燥程序至少包含旋乾(spin drying)。图式简单说明:第一图A系表示传统所用的一种清洗化学机械研磨后之晶片的方法流程图。第一图B系表示传统所用的另一种清洗化学机械研磨后之晶片的方法流程图。第二图A系表示本发明所提出的第一种清洗化学机械研磨后之晶片的方法流程图。第二图B系表示本发明所提出的第二种清洗化学机械研磨后之晶片的方法流程图。 |
