发明名称 半导体模组
摘要 一种半导体模组包含:一个MOSFET晶片以及一个用于容纳MOSFET晶片的封套。MOSFET的汲极区域是连接到一个基底基板上。将一个源极和一个闸极配置于封套的顶部,同时也配置了将要连接到此基底基板上的一个汲极。于其上植入有保护电路的一个印刷电路板上,形成对应到汲极电极、源极电极、和闸极电的各孔洞。将保护电路附着于此半导体模组上而使各电极穿进个别的孔洞内。
申请公布号 TW427031 申请公布日期 2001.03.21
申请号 TW088111674 申请日期 1999.07.09
申请人 丰田自动织机制作所股份有限公司 发明人 长濑俊昭
分类号 H01L29/78;H01L23/58 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种半导体模组,含有一个半导体晶片以及一个 用于容纳此半导体晶片的封套,这种半导体模组含 有: 一个第一电极是配置于封套的顶部上,且是用来使 半导体晶片的主电流流动; 一个第二电极是配置于封套的底部上,且是用来使 半导体晶片的主电流流动; 一个第三电极是配置于封套的顶部上,且是依电气 方式连接到第二电极上;以及 一个保护电路系用于保护半导体晶片,其特征为该 保护电路是直接连接到该第一和该第三电极上。2 .如申请专利范围第1项之半导体模组,其中该第二 电极是一种导电的基板,并将会有半导体晶片的主 电流流经其内的某一个半导体区域连接到该第二 电极上。3.如申请专利范围第1项之半导体模组,其 中该保护电路能够附着到半导体模组上或自半导 体模组卸除。4.如申请专利范围第3项之半导体模 组,其中: 将螺丝形成于该第一和该第三电极的尖端上;且 该保护电路是利用形成于该第一和该第三电极尖 端上的螺丝以及螺帽接固定在该第一和该第三电 极上。5.如申请专利范围第1项之半导体模组,其中 : 该保护电路含有分别对应到该第一和该第三电极 上的各端子;且 该第一和该第三电极是依电气形式连接到个别的 对应端子上。6.如申请专利范围第5项之半导体模 组,其中该第一和该第三电极是藉由接合或焊接而 依电气形式连接到个别的对应端子上。7.如申请 专利范围第1项之半导体模组,其中: 再令一个用于将控制信号输入到半导体晶片上的 第四电极配置于封套的顶部上;且 将该保护电路直接连接到该第一电极、该第三电 极、和第四电极上。8.如申请专利范围第1项之半 导体模组,其中该保护电路是一种用于吸收加到半 导体晶片上之浪涌电压的缓冲电路。9.一种半导 体模组,含有一个半导体晶片以及一个用于容纳此 半导体晶片的封套,这种半导体模组含有: 一个第一电极,是配置于封套的顶部上,且是用来 使半导体晶片的主电流流动; 一个第二电极,是配置于封套的底部上,且是用来 使半导体晶片的主电流流动; 一个第三电极,是配置于封套的顶部上,且是依电 气方式连接到第二电极上;其特征为: 所形成的该第一和该第三电极是使得用于保护半 导体晶片的保护电路是直接连接于其上。10.一种 半导体模组,含有一个半导体晶片以及一个用于容 纳此半导体晶片的封套,其特征为可以将其上连接 有用于保护半导体晶片的保护电路之第一主电流 电极和第二主电流电极直接配置于此封套的顶部 上。11.一种半导体模组,含有一个半导体晶片以及 一个用于容纳此半导体晶片的封套,其特征为: 将一个第一主电流电极和一个第二主电流电极配 置于此封套的顶部上;且 将一个用于保护半导体晶片的保护电路直接连接 于此第一主电流电极和此第二主电流电极上。图 式简单说明: 第一图系用以解释一种半导体模组之内部结构的 透视图。 第二图系用以解释一种保护电路的图示。 第三图系用以解释习知模组中一种半导体模组结 构以及其保护电路的图示。 第四图系用以显示一种根据本发明较佳实施例之 半导体模组结构以及用于保护此半导体模组之保 护电路的电路图。 第五图A系用以显示一种根据本发明较佳实施例之 半导体模组以及其保护电路的俯视图。 第五图B系用以显示一种根据本发明较佳实施例之 半导体模组以及其保护电路的侧视图。 第六图A第六图B系用以解释一种用于安装汲极之 方法的图示。 第七图A系用以显示一种根据本发明另一个较佳实 施例之半导体模组以及其保护电路的俯视图。 第七图B系用以显示一种根据本发明另一个较佳实 施例之半导体模组以及其保护电路的透视图。 第八图系用以显示一种根据本发明再一个较佳实 施例之半导体模组以及其保护电路的俯视图。
地址 日本
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