| 主权项 |
1.一种氮化镓系半导体装置,其特征在于包含如下: (0001)面氮化镓单结晶基板;于氮化镓单结晶基板之 表面所积层的GaN系半导体外延薄膜;附着于单结晶 基板之电极;附着于外延薄膜之电极;侧面之至少2 面为劈开面。2.根据申请专利范围第1项之氮化镓 系半导体装置,其中,为发光二极体且侧面之全部 为劈开面,并且为正三角形、菱形、平行四边形、 台形、六角形之任一者。3.根据申请专利范围第1 项之氮化镓系半导体装置,其中,为雷射二极体且 正交于条状之端面为劈开面,侧面系与此呈120之 劈开面。4.根据申请专利范围第1项之氮化镓系半 导体装置,其中,为雷射二极体且正交于条状之端 面为劈开面,侧面系与此呈90之非劈开面。图式简 单说明: 第一图系于GaAa(111)A面基板搭载光罩,藉光蚀刻而 一边平行于[11-2]方向之正三角形群的顶点之一,设 有窗口之状态平面图。 第二图系从窗口露出之GaAs表面上GaN进行成长,越 过光罩而朝横方向扩展成正六角形状之平面图。 第三图系从各别窗口成长之正六角形GaN结晶会互 相接触,完全覆盖光罩状态的平面图。 第四图系表示制造GaN单结晶基板之步骤的剖面图 。(1)乃在GaAs(111)A面赋予光罩,设罩窗口之状态的 剖面图。(2)乃于窗口之中的基底GaAs上形成GaN缓冲 层之剖面图。(3)乃进一步越过光罩的厚度而使GaN 外延层成长之状态的剖面图。(4)乃除去GaAs基板而 得到GaN基板成为独立膜之状态的剖面图。 第五图系藉HVPE法而于GaAs基板上使GaN结晶成长之 装置的概略剖面图。 第六图系于GaN基板上所制作之GaN发光元件的外延 构造之一例剖面图。 第七图系使劈开面形成于外周之本发明实施例,其 三角形状之LED晶片的平面图。 第八图系使劈开面形成于外周之本发明实施例,其 菱形形状之LED晶片的平面图。 第九图系使劈开面形成于外周之本发明实施例,其 平行四边形状之LED晶片的平面图。 第十图系使劈开面形成于外周之本发明实施例,其 台形状之LED晶片的平面图。 第十一图系使劈开面形成于外周之本发明实施例, 其六角形状之LED晶片的平面图。 第十二图系沿着用以切取三角形状晶片之劈开,其 GaN晶圆上之切开线群的平面图。 第十三图系沿着用以切取菱形晶片之劈开,其GaN晶 圆上之切开线群的平面图。 第十四图系沿着用以切取平行四边形晶片之劈开, 其GaN晶圆上之切开线群的平面图。 第十五图系沿着用以切取台形状晶片之劈开,其GaN 晶圆上之切开线群的平面图。 第十六图系沿着用以切取正六角形晶片之劈开,其 GaN晶圆上之切开线群的平面图。 第十七图系使晶片之表面从(0001)朝某方向倾斜45, 邻接劈开面可呈90之线图。 第十八图系拥有线状构造之LD中,依呈120之劈开面 群而切开,而为平行四边形,制作以劈开面作为共 振器之LD,其晶圆一部分的平面图。 第十九图系依呈120之劈开面群而切开所制作之劈 开面,以此作为共振器面之LD晶片的平面图。 第二十图系于拥有条状构造之LD中,与条状正交之 方向系于劈开面切断,与此正交之方向系于非劈开 面切断,其晶圆之一部分的平面图。 第二十一图系与条状正交之方向的劈开面,及、在 平行于条状之非劈开面切断的LD晶片平面图。 |
