发明名称 微机械梳状电容式加速度传感器
摘要 本实用新型提出了一种以玻璃为衬底的单晶硅体微机械加工梳状电容式加速度传感器。本实用新型采用硅-玻璃键合结构,利用单晶硅深反应离子刻蚀(DRIE)技术进行叉指成型刻蚀,可增加器件厚度至上百微米,大幅度增加器件静态电容,便于信号检测。传感器设计可在实现可动结构悬空的同时有效保证固定叉指的锚定,并避免差分电容极板静电力对中间质量块形成扭矩。传感器采用折叠梁结构,较之直梁结构可获得较高的灵敏度。
申请公布号 CN2424450Y 申请公布日期 2001.03.21
申请号 CN00217895.8 申请日期 2000.06.02
申请人 中国科学院上海冶金研究所 发明人 熊幸果;陆德仁;王渭源
分类号 G01D5/241;G01P15/125 主分类号 G01D5/241
代理机构 上海华东专利事务所 代理人 潘振苏
主权项 1.一种微机械梳状电容式加速度传感器,其特征在于由单晶硅敏感结构和玻璃衬底组成。
地址 200050上海市长宁路865号