使用部份沈积与再装填技术来沈积薄膜于半导体晶元上的方法

摘要

沉积薄膜于多数半导体基体上的方法，包含从第一个转动匣中将第一个多数半导体晶元装填于沉积设备之步骤，并且沉积第一种材料(如:未掺杂质矽玻璃、borophosphosilicate玻璃)于第一个多数半导体晶元上，在第一层薄膜被完全沉积于每一个装填之晶元上之后，在第一个多数半导体晶元中之第一个晶元被从设备移除，并且第一个转动匣之其他晶元被装填于设备中，以第一种材料沉积成之第二层薄膜随后被沉积于余留之第一个多数半导体晶元及附加之晶元上;此一沉积步骤之后，从设备中移除第一个多数半导体晶元中之第二个晶元，并且第一个转动匣之其他晶元(如:第七晶元)被装填于设备中，假如此一沉积设备有N个分散磁头，前述步骤之顺序将被重复施行，至少直到第一个转动匣中所有晶元被装填，并且第一个转动匣中第N个及较高之晶元得到一沉积之合成薄膜，此薄膜具有最终需求之厚度;然而，在最后转动匣之最后晶元被装填之后，第一个转动匣之第一、第二、L、及第N-l个晶元被再装填回设备中，而且进行附加沉积步骤，使得附加之中间薄膜能被沉积于再装填晶元上，然后当最后转动匣之最后晶元在设备中进行沉积步骤时，沉积步骤即被终止，并且最后转动匣之最后晶元及第一个转动匣之第一、第二、L、及第N-l个晶元被从设备中卸下。

主权项

1.一种形成薄膜于多数半导体基体上之方法,包含步骤:以第一个多数半导体基体装填于沉积设备;然后在设备中每一个第一个多数半导体基体上沉积第一种材料之第一层薄膜;然后从沉积设备之第一个多数半导体基体中移除第一个基体;然后以第一种材料沉积成第二层薄膜于尚未从设备移除之第一个多数半导体基体上,使得其上面共包括第一及第二层合成薄膜;然后从沉积设备之第一个多数半导体基体中移除第二个基体;然后将第一个多数半导体基体中之第一个基体再装填于沉积设备;然后以第一种材料沉积成第三层薄膜于再装填之第一个基体上,使得再装填之第一个基体上包括第一及第三层合成薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中前述沉积第三层薄膜之步骤后,进行下述步骤:将第一个多数半导体基体中之第二个基体再装填于沉积设备;然后以第一种材料沉积成第四层薄膜于再装填之第一及第二个基体上,使得再装填之第一个基体上包括第一、第三及第四层合成薄膜,并且再装填之第二个基体上包括第一、第二及第四层合成薄膜。3.如申请专利范围第2项之方法,其中前述将第一个多数半导体基体中之第一个基体再装填于沉积设备步骤之前,先将已移除的第一个基体进行冷却步骤;而且其中前述第二个基体再装填于沉积设备步骤之前,先将已移除的第二个基体进行冷却步骤。4.如申请专利范围第2项之方法,其中前述以第一个多数半导体晶元装填于沉积设备之步骤,包括从第一个转动匣将第一个多数半导体晶元装填于沉积设备之步骤;并且其中前述将第一个多数半导体晶元中之第一个基体再装填于沉积设备步骤之前,先进行从第二个转动匣将第二个多数半导体晶元装填于沉积设备之步骤,不同于第一个转动匣。5.如申请专利范围第4项之方法,其中第二个转动匣包括N个晶元,N为正整数;并且其中前述将第一个多数半导体晶元中之第一个基体再装填于沉积设备步骤之前,先进行从第二个转动匣将N个晶元装填于沉积设备之步骤。6.如申请专利范围第5项之方法,其中第一个转动匣亦包括N个晶元,并且其中前述将第一个多数半导体晶元中之第一个基体再装填于沉积设备步骤之前,先进行从第一个转动匣将N个晶元装填于沉积设备之步骤;以第一种材料沉积薄膜于第一个转动匣上之N个晶元上,然后以第二个转动匣中至少一个晶元装填于沉积设备。7.如申请专利范围第6项之方法,其中前述从第一个转动匣将N个晶元装填于沉积设备之步骤,包括从第一个转动匣按顺序将每一个晶元一次一个装填于沉积设备中,并且在每一个依序装填步骤间,以第一种材料沉积薄膜于晶元上。8.如申请专利范围第6项之方法,其中前述以第二个转动匣中至少一个晶元装填于沉积设备之步骤,包括从第二个转动匣按顺序将每一个晶元一次一个装填于沉积设备中,并且以第一种材料沉积薄膜于第二个转动匣中每一个依序装填之晶元上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中沉积设备包括一个化学气体沉积箱,其中前述以第一种材料沉积第一层薄膜于每一个第一个多数半导体基体上之步骤,系在化学气体沉积箱内为大气压力下进行。10.一种沉积薄膜于多数半导体晶元上之方法,其步骤为:将第一个多数半导体晶元装填于化学气体沉积设备;然后沉积具有第一层厚度之第一层薄膜于每一个装填之第一个多数半导体晶元;然后从设备中移除第一个多数半导体晶元之第一个晶元;然后沉积具有第一层厚度之第二层薄膜于尚未从设备移除之每一个已装填之第一个多数半导体晶元上,使得其上面共包括第一及第二层合成薄膜;然后从设备中移除第一个多数半导体晶元之第二个晶元;然后沉积具有第一层厚度之第三层薄膜于尚未从设备移除之每一个已装填之第一个多数半导体晶元,使得其上面共包括第一、第二及第三层合成薄膜;将第二个多数半导体晶元装填于设备中,并且沉积具有第二层厚度之薄膜于每一个装填之第二个多数半导体晶元上;在第二个多数半导体晶元已被装填之后,从第一个多数半导体晶元将第一及第二个晶元再装填于设备中;然后沉积薄膜于第一及第二个再装填之晶元上,使他们每个均包括具有第二层厚度之合成薄膜。11.如申请专利范围第10项之方法,其中前述将第一个多数半导体晶元装填于设备之步骤,包括从第一个转动匣将第一个多数半导体晶元装填于设备中;并且其中前述将第二个多数半导体晶元装填于设备之步骤,包括从第二个转动匣将第二个多数半导体晶元装填于设备中。12.如申请专利范围第11项之方法,其中前述沉积具有第二层厚度薄膜于每一个装填之第二个多数半导体晶元上及沉积薄膜于第一及第二个再装填之晶元上,使他们每个均包括具有第二层厚度之合成薄膜之步骤,系至少部份在重叠时间间隙中进行。13.如申请专利范围第12项之方法,其中第一及第二层薄膜具有相同厚度,且其中第二层厚度系较第一层厚度大整数倍。14.一种沉积薄膜于多数半导体晶元上之方法,其步骤为:从第一个转动匣中将第一个多数半导体晶元装填于具有N个分散磁头(N为整数)之沉积设备中;分别沉积不同厚度之第一层薄膜于每一个第一个多数半导体晶元上;从第二个转动匣中将第二个多数半导体晶元装填于设备中;分别沉积相同厚度之薄膜于每一个第二个多数半导体晶元上;将N-1具有第一层薄膜之第一个多数半导体晶元再装填于设备中;并且分别沉积不同厚度之第二层薄膜于每一个具有第一层薄膜再装填之N-1晶元上,使得每一个第一个多数半导体晶元分别具有总厚度相同之合成薄膜。15.如申请专利范围第14项之方法,其中前述从第二个转动匣中,将第二个多数半导体晶元装填于设备中之步骤之前,先进行前述分别沉积不同厚度之第一层薄膜于每一个第一个多数半导体晶元上之步骤;其中前述分别沉积相同厚度之薄膜于每一个第二个多数半导体晶元上之步骤之前,先进行前述从第二个转动匣中将第二个多数半导体晶元装填于设备中之步骤;其中前述将N-1第一个多数半导体晶元再装填于设备中之步骤之前,先进行前述从第二个转动匣中将第二个多数半导体晶元装填于设备中之步骤;并且其中前述分别沉积不同厚度之第二层薄膜于每一个具有第一层薄膜再装填之N-1晶元上之步骤之前,先进行前述将N-1第一个多数半导体晶元再装填于设备中之步骤。图式简单说明:第一图所示简图系初始装填状态之习用沉积设备,其所显示者为形成薄膜于半导体晶元上之习用方法的步骤。第二图所示简图系最终装填状态之习用沉积设备,其所显示者为形成薄膜于半导体晶元上之习用方法的步骤。第三图A所示简图系初始装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例一形成薄膜于半导体晶元上之方法之一步骤。第三图B所示简图系最终装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例一形成薄膜肢半导体晶元上之方法之另一步骤。第四图流程图所示系依据本发明实例一形成薄膜于基体上之方法之形成步骤。第五图A所示简图系初始装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例二形成薄膜于半导体晶元上之方法之一步骤。第五图B所示简图系最终装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例二形成薄膜于半导体晶元上之方法之另一步骤。第六图流程图所示系依据本发明实例二形成薄膜于基体上之方法之形成步骤。第七图A所示简图系初始装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例三形成薄膜于半导体晶元上之方法之一步骤。第七图B所示简图系最终装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例三形成薄膜于半导体晶元上之方法之另一步骤。第八图A所示简图系最终装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例四形成薄膜于半导体晶元上之方法之一步骤。第八图B所示简图系最终装填状态之习用沉积设备,其所显示者为依据本发明实例五形成薄膜于半导体晶元上之方法之另一步骤。