| 主权项 |
1.一种附加屏蔽于基片加工室的构造,其具有:一基片加工室,其具有室壁包围基片加工位置,室壁顶边形成加工室开口;一室壁开口盖件跨盖于开口,并可封闭该加工室壁的该顶边;一屏蔽,其被设计成具有起码部分阻隔作用,阻止加工成份从基片加工部位发散到达加工室壁,此屏蔽有一凸缘,平固地拑固于该加工室壁的一部分及该加工室开口盖件的一部分之间,其中拑固力起码有一部分来自基片加工室抽真空造成加工室盖件压贴该加工壁顶边缘的力;其中该屏蔽被设计成在使用之时,要取出及更换屏蔽时不必取出、重放一系列在使用时就位在加工室内的可取出的固紧件。2.如申请专利范围第1项的附加屏蔽着于基片加工室的构造,其中该凸缘件被置于该顶边封口及构件之间,构成凸缘夹心的一个组件,加工室于抽真空时就会为之气体密封。3.如申请专利范围第1项的附加屏蔽着于基片加工室的构造,其中该凸缘件被置于一位在该加工室壁及该加工室开口盖口件之间的定位件位置处,该加工室开口的凸缘夹心之内,而加工室由该凸缘夹心封口所密封。4.如申请专利范围第3项的附加屏蔽着于基以加工室的构造,其中该凸缘件由于被压贴向该加工室壁而使电流继显通到加工室壁。5.如申请专利范围第1项的附加屏蔽着于基片加工室的构造,其中该凸缘件由于被压贴向该加工室壁,就使电流继显通到加工室。6.一种把屏蔽附加于真空基片加工室的构造,其具有:一基片加工室装置,其具有单壁或多壁包围着基片加工部位,此单壁或多壁之顶面形成该加工室之开口;第一道加工室屏蔽,其被放进去作为单壁或多壁的内衬里,通常邻接该加工部位,且在使用时通常作为阻隔层,防止微粒从该加工部位落到加工室壁起码一部分上,该第一道加工室屏蔽包括一凸缘部分,该屏蔽安放供封闭该加工至单壁或多壁之顶面开口;一加工室开口盖件,其被构形成盖住该加工室的目标开口,通常系由该加工室屏蔽凸缘所支承,并与之封在一起;当该加工室起码部分被抽真空时,该盖件产生一股力拑着该凸缘部分朝向该单壁或多壁顶面;其中该屏蔽被设计成在使用之时,要取出及更换屏蔽时不必取出、重放一系列在使用时就位在加工室内的可取出的固紧件。7.如申请专利范围第6项之把屏蔽附加于真空基片加工室的构造,其中一个把加工室单壁或多壁与加工室开口盖件之间隔开并使之不通电的绝缘环被置于该加工室壁顶面及该加工室开口盖件之间,在绝缘环与凸缘部分之间以及绝缘环与该加工室开口盖件之间,通常是真空封闭。8.一种把附加屏蔽于真空基片加工室的构造,其具有:一基片加工室装置,其具有单壁或多壁包围着基片加工部位,该加工室单壁或多壁的顶面形成开口;一加工室开口盖件,其被设计成盖住该加工室开口,通常为该单壁或多壁之顶面所支承,并与之封闭;一绝缘环把加工室单壁或多壁与加工室开口盖件隔开并使之不通电,该绝缘环一般被呈于该加工室壁顶面与该加工室开口盖件之间,一般于绝缘环与该加工室单壁或多壁顶面之间形成其空密闭,而绝缘环与该加工室开口盖件之间也是真空密闭;第一道加工室屏蔽,其被置于邻接该目标物的单壁或多壁作为内衬里,该屏蔽的一部分于使用时一般作为阻隔层防止加工部位放出的微粒落到加工室壁起码一部分上,该第一道加工室屏蔽包括一凸缘部分;一定位环位于加工室内,该定位环被构形成接触该凸缘部分,并与凸缘部分一起形成屏蔽拑固装置的起码一部分,该屏蔽拑固装置被构形成抓住该凸缘部分,定位件位于该绝缘环与该加工室装置单壁或多壁拑固部分之间,此定位件于使用时于屏蔽拑固装置中相邻构件之间产生接触压力,以确保屏蔽与加工室装置单壁或多壁之间,于一般密封抽真空排出里面的气体分子时通电。9.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其中该定位件包括一般硬性环,有一空穴,空穴接受一般可压缩的弹性构件,弹性构件于不受压状态伸出空穴口外,用时只要弹性构件取代了非压缩状况,起码部分压缩,就传力于屏蔽拑固装置相邻构件。10.如申请专利范围第9项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其中该空穴是一般连续的槽在该环的周围,而该弹性件是管状结构置于槽内,其侧面部分凸出于该空穴口之外。11.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其中该加工室装置的单壁或多壁有配接环,一般置于加工室壁顶面与绝缘环之间,配接环与该加工室单壁或多壁顶面之间,一般形成真空密封,绝缘环与配接环之间也真空密封。12.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基以加工室的构造,其中该屏蔽拑固装置还有拑固环,置于定位环与绝缘环之间。13.如申请专利范围第12项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其中该拑固环包括最少一处气体通道,供气体从拑固环的一侧通向第二侧,不必气流由拑固环的面上从一侧通向另一侧。14.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其进一步包含有:一第二道加工室屏蔽,位于目标物相邻的单壁或多壁内作为衬里,使用时一般作为阻隔层,防止基片加工部位散发微粒落到加工室壁最少一部分,该第二道加工室屏蔽包括凸缘部分;其中该第一屏蔽凸缘部分位于定位环的侧其该第二屏蔽凸缘部分位于定位环的第二侧,成为该屏蔽拑固装置的组成部分;其中该第二屏蔽作为该第一层衬里的一部分的内衬里。15.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其进一步包含有:一第二道加工室屏蔽作为基片加工部位相邻的单壁或多壁的内衬里,此第二屏蔽的一部分使用时一般作为阻隔层,防止基片加工部位散发出的微粒到达加工室壁最少有一部分,该第二道加工室屏蔽包括凸缘部分;其中该第一屏蔽和该第二屏蔽的凸缘部分互相相邻且位于该加工室定位环的第一侧,成为屏蔽拑固装置的一部分;其中该第二屏蔽作为第一衬里一部分的内衬里。16.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其中该定位环一般作为浮动弹性可压缩的定位元件,协助拑固第一屏蔽凸缘部分,使与加工室单壁或多壁接触通电。17.如申请专利范围第8项的附加屏蔽于基片加工室的构造,其中该第一屏蔽一般在支承基片供加工与加工室单壁或多壁之间跨过一空隙。18.一种附加屏蔽于基片加工室附着屏蔽的方法,其包括下列步骤:加工室壁装置包围基片加工部位;置防喷溅屏蔽凸缘于加工室壁凸缘夹心之中;置加工室开口盖件于基以加工位置对面,把室壁装置与加工室开口盖件之间封死,加工室开口盖件有一个面对着加工室开口盖件下面的凸缘夹心的一部分,密封后,加工室起码部分抽真空时,加工室壁装置与加工室开口盖件之间的凸缘夹心就受压;其中该屏蔽被设计成在使用之时,要取出及更换屏蔽时不必取出、重放一系列在使用时就位在加工室内的可取出的固紧件。19.一种附着屏蔽于基片加工室的方法,其包含如下步骤:备一加工室壁装置包围着加工位置基片加工部位;置防喷溅屏蔽凸缘于定位件夹心之中,邻接加工室壁的定位部位有定位环;而定位环有弹性构件,当相邻构件受压时,把相邻构件顶离定位环;置加工室开口盖件于基片加工位置对面,把室壁装置与加工室开口盖件之间封死,加工室开口盖件有一个面对着定位件位置,密封后,加工室起码部分抽真空,加工室壁装置与加工室开口盖件之间的定位件夹心就受压。20.一种附加屏蔽于基片加工室的构造,其包含有:一基以加工室,其壁包围基片加工位置,壁顶边缘构成加工室开口;一加工室开口盖件,跨过该开口,其构造使加工室壁顶端边缘可供封闭;一屏蔽,其构造可作起码局部阻隔,防止加工成份从基以加工位置散布于室壁,此屏蔽有一内函的凸缘件,包拑着,成为加工室壁一部分与加工室开口盖件一部分之间封闭线的组成部分,拑固凸缘部分的拑固力,起码有一部分是基片加工室抽真空形成的力,使盖件鼎向室壁顶边缘;其中该屏蔽被设计成在使用之时,要取出及更换屏蔽时不必取出、重放一系列在使用时就位在加工室内的可取出的固紧件。图式简单说明:第一图是旧工艺PVD加工室的横剖视图,用螺丝拑固防喷溅屏蔽;第二图是按本发明的加工室侧壁构造横剖视图,显示防喷溅屏蔽的凸缘封闭在凸缘夹心内。第二图A是本发明的加工室侧壁构造剖视图,显示防喷溅屏蔽拑固于凸缘夹心,而加工室封闭是在屏蔽凸缘外;第三图是防喷溅屏蔽透视图,即第一图那种类型,沿虚线剖开;第四图是第三图的防喷溅屏蔽透视图放大,其上部(凸缘)以实线表示,以别于其下部以虚线表示;第五图是放大剖视示意图,显示加工室壁的具体构造,包括有防喷溅屏蔽的上(凸缘)部分及其拑固件,据本发明;第六图是根据本发明第五图的加工室壁横剖视,着重显示单件防喷溅屏蔽件的凸缘;第七图是根据本发明的加工室壁横剖视,着重显示两件防喷溅屏蔽件的凸缘;根据本发明,凸缘位于定位件的顶和底;第八图是根据本发明的加工室壁横剖视,着重显示两件防喷溅屏蔽件的凸缘;根据本发明,二凸缘位于定位环一侧互相邻接;第九图是根据本发明定位环弹性构件槽的横剖视,其构形显示槽口简单平行方角壁;第十图是根据本发明定位环弹性构件槽的横剖视,其构形于槽口较窄,比靠近槽底的侧壁间的宽度窄。 |
