发明名称 | 均分散超细阴离子层状材料的新合成方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种均分散阴离子层状超细材料(LDHs)的新合成方法,成核/晶化隔离法,克服了晶体生长过程中成核与晶化同步进行使晶粒分布不均匀的缺点。以全返混爆发式瞬间成核技术使反应体系在瞬间大量成核,进而阻止在晶化过程中成核的发生,成核反应时间2—10秒。利用程序控温动态晶化技术促使晶粒分布更均匀,并可大大的缩短晶化时间,动态晶化反应温度30—100℃,动态晶化时间1—10小时。本发明所用方法克服了现有阴离子层状材料合成方法中产品的晶相不规则和粒径分布不均等缺点,可使阴离子层状材料具有更好的晶相和均匀的粒径分布,同时具有制备工艺简化、减少设备投资、缩短生产时间、节约能耗、无环境污染、适用范围广等优点。 | ||
申请公布号 | CN1288078A | 申请公布日期 | 2001.03.21 |
申请号 | CN99119385.7 | 申请日期 | 1999.09.14 |
申请人 | 北京化工大学 | 发明人 | 段雪;矫庆泽;李蕾 |
分类号 | C30B29/22 | 主分类号 | C30B29/22 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1.一种均分散超细阴离子层状材料的新合成方法,成核/晶化隔离法,以全返混爆发式瞬间成核技术使反应体系在瞬间大量成核,进而阻止在晶化过程中成核的发生,利用程序控温动态晶化技术促使晶粒分布更均匀,并可大大的缩短晶化时间。 | ||
地址 | 100029北京市朝阳区北三环东路15号 |