发明名称 用于建立芯片一衬底-连接的设备和方法
摘要 本发明涉及一种用于特别是通过把半导体芯片(2)焊接在衬底(3)上建立芯片-衬底-连接(1)的设备,该设备具有一个在其上或在其旁暂时支承有衬底(3)的支架(7)和一个配属于芯片-衬底-连接(1)的加热装置(8)。加热装置(8)具有一个激光器形式的、在红外一波长范围内的辐射源(9)。支架(7)是通过一个配属于芯片-衬底-连接(1)的、被辐射源(9)以热辐射加热的热载体(15)构成的,其中,热载体(15)的表面覆有对由辐射源(9)发出的光辐射(14)有高的吸收率的材料(4),特别是覆有铬。
申请公布号 CN1265226A 申请公布日期 2000.08.30
申请号 CN98807568.7 申请日期 1998.07.20
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 S·格雷特施;H·L·阿尔陶斯;W·斯佩斯;G·波格纳
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;张志醒
主权项 1.用于特别是通过把半导体芯片(2)焊接在衬底(3)上建立芯片-衬底-连接(1)的设备,该设备具有一个在其上或在其旁暂时支承有衬底(3)的支架(7)和一个配属于芯片-衬底-连接(1)的加热装置(8),其特征在于,加热装置(8)具有一个辐射源(9),并且支架(7)作为加热装置(8)的构成部分,具有一个可被辐射源(9)的电磁辐射,特别是激光辐射加热的热载体(15)。
地址 德国慕尼黑