| 主权项 |
1.一种含卤之触媒,其包含负载于L型沸石上之根据触媒总重量为0.1-5.0重量%之一或多种卤成份以及0.1-5.0重量%之一金属,且其中卤量在触媒中均匀分布,该均匀之卤量分布系定义为:使得在截面宽度方向距离(x:从一个触媒表面之距离)与使用电子探针微量分析(EPMA)装置在触媒截面上的卤原子于一个方向之直线分析测量所得的X--光强度(I)之间的关系图显示,比例[(F-F0)値对积分値(F)之比例(F-F0)/F]为0.17或更低,且(F-F0)値系得自从在表面x间经由积分上述I所得的値(F)扣除在表示一个触媒表面与另一个触媒表面之间关于x之X--光强度的曲线之极小値切线处积分X--光强度(I0)所得的値(F0)。2.如申请专利范围第1项含卤之触媒,其中在L型沸石上负载一或多种卤成份及铂。3.如申请专利范围第1或2项含卤之触媒,其系用于从非芳族烃类生产芳族烃类。4.一种制备申请专利范围第1项含卤之触媒的方法,其步骤包括将一或多种卤成份负载于载体上,然后在15重量%/小时或更低的水份蒸发率下乾燥。5.一种制备申请专利范围第1项含卤之触媒的方法,其步骤包括将一或多种卤成份及一或多种金属负载于载体上,然后在15重量%/小时或更低的水份蒸发率下乾燥。6.一种制备申请专利范围第2项含卤之触媒的方法,其步骤包括将一或多种卤成份及铂负载于L型沸石上,然后在15重量%/小时或更低的水份蒸发率下乾燥。7.如申请专利范围第4至6项任一项之制备含卤之触媒的方法,其中水份蒸发率为10重量%/小时或更低。8.如申请专利范围第4至6项任一项之制备含卤之触媒的方法,其中乾燥是先在低温且随后在高温下进行。9.如申请专利范围第4至6项任一项之制备含卤之触媒的方法,其中是进行真空乾燥。10.一种制备申请专利范围第2项含卤之触媒的方法,其步骤包括将一或多种卤成份负载于载体上,在15重量%/小时或更低的水份蒸发率下乾燥,然后在其上面负载铂。图式简单说明:第一图显示经由使用EPMA装置,在卤原子进行直线分析测量的情形下,宽度方向距离(x)与X--光强度(I)之间的关系。第二图为供EPMA测量使用之L型沸石触媒实例之透视图。 |
