发明名称 半导体器件的芯片规模表面安装封装及其制造方法
摘要 半导体器件的封装方法,包括在半导体管芯正面形成与连接焊盘接触的金属层。金属层伸到管芯与相邻管芯间的划线中。非导电顶盖附在晶片正面,从晶片后面磨从晶片背面进行切割露出金属层。在晶片背面形成非导电层,在非导电层上淀积第二金属层,第二金属层延伸到划线中,在该处第二金属层通过非导电层中的开口与第一金属层接触。第二金属层上形成焊台,使封装安装在印刷电路板上。用锯沿划线锯切顶盖分离各管芯,形成半导体器件封装。
申请公布号 CN1288257A 申请公布日期 2001.03.21
申请号 CN99126123.2 申请日期 1999.12.13
申请人 维谢伊因特泰克诺洛吉公司 发明人 费利克斯·赞德曼;Y·默罕穆德·卡塞姆;何约瑟
分类号 H01L21/50;H01L21/304 主分类号 H01L21/50
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 黄敏
主权项 1.一种制造半导体器件封装的方法,包括:配置半导体晶片,该半导体晶片有正面侧和背面侧并包括由划线分开的多个管芯,各管芯包括半导体器件,各管芯正面侧的表面包括钝化层和至少一个与半导体器件接触的连接焊盘;形成与至少一个连接焊盘电接触的第一金属层,第一金属层的一部分横向延伸过管芯的边缘;把顶盖粘附于晶片的正面侧上;在划线区域中从晶片背面侧切穿半导体晶片,形成第一次切割,第一次切割有第一切口W1,并露出第一金属层的一部分;在管芯背面侧的至少一部分上形成非导电层;形成第二金属层,第二金属层与第一金属层电接触,并有在非导电层上延伸的第一部分;和在划线区域中切穿顶盖,形成第二次切割,第二次切割的切口W2小于第一次切口W1,第二次切割保留在第一和第二金属层之间进行接触的区域。
地址 美国宾夕法尼亚州