| 主权项 |
1.一种电致发光组件,其包含基质,阳极,电致发光构件与阴极,其中两个电极中至少一者在可见光谱区域为透明的,而且电致发光构件含有一或多个个区,其以指定之顺序选自包括电洞注射区,电洞运输区,电致发光区,电子运输区,与电子注射区,其中存在之各区亦可呈现上述其他区之功能,其特征为电致发光构件含有8-羟基衍生物之硼错合物。2.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为电洞注射区含有式(I)之未带电或阳离子性聚吩其中Q1与Q2彼此独立地表示氢,经取代或未取代(C1-C20)-烷基,CH2OH或(C6-C14)-芳基,或Q1与Q2一起表示-(CH2)m-CH2-(其中m=0至12,较佳为1至5),(C6-C14)-亚芳基,及n表示2至10,000之整数,较佳为5至5000。3.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为电洞注射区含有式(Ia)或(Ib)未带电或阳离子性聚吩或其混合物其中Q3与Q4彼此独立地表示氢,经取代或未取代(C1-C18)-烷基,(C2-C12)-烯基,(C3-C7)-环烷基,(C7-C15)-芳烷基,(C6-C10)-芳基,(C1-C18)-烷氧基,或(C2-C18)-烷氧基酯,及Q5与Q6彼此独立地表示氢或(C1-C18)-烷基,(C2-C12)-烯基,(C3-C7)-环烷基,(C7-C15)-芳烷基,(C6-C10)-芳基,(C1-C18)-烷氧基,或(C2-C18)-烷氧基酯,其分别被至少一个磺酸基所取代,其中如果Q5表示氢,则Q6不为氢,反之亦同,及n表示2至10,000之整数。4.根据申请专利范围第3项之电致发光组件,其特征为电洞注射区含有式(Ia-1)与(Ib-1)之阳离子性或未带电聚吩其中Q5与n如申请专利范围第3项中所定义者。5.根据申请专利范围第1至4项中任一项之电致发光组件,其特征为聚合羧酸及/或聚合磺酸之阴离子系以聚阴离子之形式存在。6.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为聚苯乙烯磺酸及/或其硷土金属盐系以相对离子之形式存在。7.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为电洞注射及/或电洞运输区含有通式(II)之芳族三级胺基化合物其中R2表示氢,经取代或未经取代之烷基或卤素,R3或R4彼此独立地表示经取代或未经取代之(C1-C10)-烷基,经烷氧基羰基取代之(C1-C10)-烷基,或经取代或未经取代之芳基,芳烷基或环烷基。8.根据申请专利范围第2项之电致发光组件,其特征为,在式(II)中R2表示氢或(C1-C6)-烷基,R3与R4彼此独立地表示(C1-C6)-烷基,(C1-C4)-烷氧基羰基-(C1-C6)-烷基,或未经取代或经(C1-C4)-烷基及/或(C1-C4)-烷氧基取代之苯基,基,苯基-(C1-C4)-烷基,基-(C1-C4)-烷基,环戊基或环已基。9.根据申请专利范围第7项之电致发光组件,其特征为三级胺基化合物选自以下之化合物:10.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为硼错合物为选自通式(IIIa)至(IIIg)化合物之化合物其中Z表示可完成含有至少2个稠合环之结构的原子,R表示芳基或F原子其中R1表示经取代或未经取代之(C6-C10)-芳基或卤素,R2.R3.R4.R5.R6与R7彼此独立地表示氩,经取代或未经取代之(C1-C16)-烷基或卤素或磺醯胺基或氰基或经取代或未经取代之胺基,其中R2.R3.R4.R5.R6与R7彼此独立地表示氩,分支或未分支(C1-C12)-烷基,或氯或磺醯胺基团或氰基或经取代之胺基。11.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为透明黏合剂选自聚碳酸酯,聚酯碳酸酯,苯乙烯之共聚物,聚,以含乙烯基单体为主之聚合物,聚烯烃,环烯烃共聚物,及苯氧基树脂中。12.根据申请专利范围第1项之电致发光组件,其特征为硼错合物选自以下之化合物中: |
