发明名称 Integrated memory circuit with at least two plate segments
摘要 <p>Eine Elektrode jedes Speicherkondensators C der Speicherzellen MC ist über den zugehörigen Speichertransistor T mit einer der Bitleitungen BLi und eine andere Elektrode ist mit einem der Plattensegmenten PLA, PLB; PLC, PLD verbunden. Ein Steueranschluß jedes Auswahltransistors 7 ist mit einer der Wortleitungen WLi verbunden. In einer Normalbetriebsart wird bei Zugriffen auf die Speicherzellen MC das Potential jeweils nur eines der Plattensegmente gepulst. In einer Testbetriebsart werden gleichzeitig die Potentiale beider Plattensegmente gepulst. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1085517(A2) 申请公布日期 2001.03.21
申请号 EP20000119661 申请日期 2000.09.08
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 POECHMUELLER, PETER
分类号 G01R31/28;G01R31/3185;G11C11/22;G11C11/401;G11C11/4074;G11C14/00;G11C29/14;(IPC1-7):G11C11/404 主分类号 G01R31/28
代理机构 代理人
主权项
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