| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,系为以几乎平行地呈相对向之状态,而配置着半导体基板9之主表面9a以及该形成于前述之半导体基板9之主表面9a上且成为薄膜原料之标靶8之主表面8a,并且,藉由溅镀处理,而飞散着该构成为前述之标靶8之材料,以便于在前述之半导体基板9上,形成出薄膜之半导体元件之制造方法,其特征为,系具备有以下所叙述之作业:在前述之标靶8之主表面8a和前述之半导体基板9之主表面9a之间,保持着第1距离,接着,藉由溅镀处理,而在前述之半导体基板9之主表面9a上,形成出第1薄膜15之作业1;以及在前述之标靶8之主表面8a和前述之半导体基板9之主表面9a之间,保持着更短于前述之第1距离之第2距离,接着,藉由溅镀处理,而形成该接触着前述之第1薄膜15上之第2薄膜16之作业;其中,前述之第1距离系为170mm以上,而前述之第2距离系为80mm以下。2.如申请专利范围第1项之半导体元件之制造方法,其中,在前述之半导体基板9,系形成着该具有孔洞13之层间绝缘膜11,并且,还形成有前述之第1薄膜15以及前述之第2薄膜16,以便于覆盖住前述之孔洞13之底面和侧面。3.一种半导体元件之制造方法,系为以几乎平行地呈相对向之状态,而配置着半导体基板9之主表面9a以及该形成于前述之半导体基板9之主表面9a上且成为薄膜原料之标靶8之主表面8a,并且,藉由溅镀处理,而飞散着该构成为前述之标靶8之材料,以便于在前述之半导体基板9上,形成出薄膜之半导体元件之制造方法,其特征为,系具备有以下所叙述之作业:在前述之标靶8之主表面8a和前述之半导体基板9之主表面9a间之空间之气氛,保持着第1压力,接着,藉由溅镀处理,而在前述之半导体基板9之主表面9a上,形成出第1薄膜15之作业;以及在前述之标靶8之主表面8a和前述之半导体基板9之主表面9a间之空间之气氛,保持着更高于前述之第1压力之第2压力,接着,藉由溅镀处理,而形成该接触着前述之第1薄膜15上之第2薄膜16之作业;其中,前述之第1压力系为0.5m.Torr以下,而前述之第2压力系为2m.Torr以上。4.如申请专利范围第3项之半导体元件之制造方法,其中,在前述之半导体基板9,系形成有该具备着孔洞13之层间绝缘膜11,并且,形成有前述之第1薄膜15和前述之第2薄膜16,以便于覆盖住前述之孔洞13之底面和侧面。5.一种半导体元件之制造装置,系为以几乎平行地呈相对向之状态,而配置着半导体基板9之主表面9a以及该形成于前述之半导体基板9之主表面9a上且成为薄膜原料之标靶8之主表面8a,并且,藉由溅镀处理,而飞散着该构成为前述之标靶8之材料,以便于在前述之半导体基板9上,形成出薄膜之半导体元件之制造装置1,其特征为,系具备有以下所叙述之构件:保持用容器2,而该保持用容器2,系被用以减压着该半导体元件之制造装置1之内部压力;基板支持用手段5,而该基板支持用手段5,系设置于前述之保持用容器2内,以便于支持着前述之半导体基板9;标靶支持用手段3,而该标靶支持用手段3,系设置于前述之保持用容器2内,以便于支持着前述之标靶8,而使得前述之标靶8之主表面8a,几乎呈平行地对向着前述之半导体基板9之主表面9a;以及距离调整用手段20,而该距离调整用手段20,系藉由动作着前述之标靶支持用手段3或者前述之基板支持用手段5之至少一个手段,以便于能够将前述之半导体基板9之主表面9a和前述之标靶8之主表面8a间之距离,设定成为该用以在前述之半导体基板9之主表面9a上而形成出第1薄膜15之第1距离以及该用以在连接着前述之第1薄膜15上之第2薄膜16且还短于前述之第1距离之第2距离;其中,前述之第1距离系为170mm以上,而前述之第2距离系为80mm以下。6.一种半导体元件之制造装置,其特征为,系具备有以下所叙述之构件:第1溅镀用手段52,而该第1溅镀用手段52,系以几乎平行地呈相对向之状态,而保持着第1距离,以便于配置着半导体基板之主表面以及该形成于前述之半导体基板之主表面上且成为薄膜原料之标靶之主表面,并且,藉由溅镀处理,而飞散着该构成为前述之标靶之材料,以便于在前述之半导体基板上,形成出第1薄膜;第2溅镀用手段54,而该第2溅镀用手段54,系以几乎平行地呈相对向之状态,而保持着该短于前述之第1距离之第2距离,以便于配置着前述之半导体基板之主表面以及该形成于前述之半导体基板之主表面上且成为薄膜原料之标靶之主表面,并且,藉由溅镀处理,而飞散着该构成为前述之标靶之材料,以便于形成出该连接着前述之第1薄膜之第2薄膜;以及移送用手段53,而该移送用手段53,系被用以将该形成有前述之第1薄膜之前述之半导体基板,由前述之第1溅镀用手段52,移送至前述之第2溅镀用手段54;其中,前述之第1距离系为170mm以上,而前述之第2距离系为80mm以下。7.一种半导体元件之制造装置,系为以几乎平行地呈相对向之状态,而配置着半导体基板9之主表面9a以及该形成于前述之半导体基板9之主表面9a上且成为薄膜原料之标靶8之主表面8a,并且,藉由溅镀处理,而飞散着该构成为前述之标靶8之材料,以便于在前述之半导体基板9上,形成出薄膜之半导体元件之制造装置1,其特征为,系具备有以下所叙述之构件:保持用容器2,而该保持用容器2,系被用以减压着该半导体元件之制造装置1之内部压力;基板支持用手段5,而该基板支持用手段5,系设置于前述之保持用容器2内,以便于支持着前述之半导体基板9;标靶支持用手段3,而该标靶支持用手段3,系设置于前述之保持用容器2内,以便于支持着前述之标靶8,而使得前述之标靶8之主表面8a,几乎呈平行地对向着前述之半导体基板9之主表面9a;以及压力控制用手段6,而该压力控制用手段6,系能够控制着前述之保持用容器2内之压力,而使得该保持用容器2内之压力,保持成为该用以在前述之半导体基板9之主表面9a上而形成出第1薄膜15之第1压力以及该用以在连接着前述之第1薄膜15上之第2薄膜16且还高于前述之第1压力之第2压力;其中,前述之第1压力系为0.5m.Torr以下,而前述之第2压力系为2m.Torr以上。图式简单说明:第一图系为按照本发明之实施形态1之半导体元件之制造装置之模式图。第二图系为用以显示出该按照本发明之半导体元件之制造方法之第1作业之剖面图。第三图系为用以显示出该按照本发明之半导体元件之制造方法之第2作业之剖面图。第四图系为用以显示出该按照本发明之半导体元件之制造方法之第3作业之剖面图。第五图系为用以显示出该按照本发明之半导体元件之制造方法之第4作业之剖面图。第六图系为按照本发明之实施形态4之半导体元件之制造装置之方块图。第七图系为用以说明该在习知之先前技术之溅镀作业中之所产生之问题而显示出之溅镀用装置之模式图。第八图系为藉由习知之先前技术之半导体元件之制造装置而制造出之障蔽层之剖面图。 |
