| 主权项 |
1.一种被安装成为自由飘浮的转动转子体(1)之颤动减低方法,该转动转子体在其外部圆周有反射面(13),其中,一有既定入射位置之测量束(5)被经过之转动转子体(1)之反射面(13)所反射,并在反射后,被导至一位置检测器(17),其讯号予以供给至一电脑(22),其在转子体(1)之每一整转时,确定位置检测器(17)所发出讯号之最大及最小値间之差,并且电脑(22)确定与该二値关联之转子体(1)之角位置,并自后者,计算控制校正装置(16)之控制讯号,在该转时或在转子体(1)之随后一转时,该校正装置(16)以一种非接触方式导致在转子体(1)之质量分布之变化,并且不以一种致使在转子体(1)之此转时所确定位置检测器(17)所发出讯号之最小及最大値间之差小于在前一转时所确定之差之方式,影响反射面(13)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,在每一情况,在局部有限区域(23)内,完成在转子体(1)之质量分布上之变化。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中,藉局部去除或增加质量改变在转子体(1)之质量分布。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,藉雷射照射,电子照射及/或离子照射,改变在转子体(1)之质量分布。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,供改变在转子体(1)之质量分布所使用之辐射(24)予以脉动。6.如申请专利范围第5项之方法,其中,供改变在转子体(1)之质量分布所使用之辐射(24)予以与转子体(1)之旋转速度脉动同步。7.如申请专利范围第5项之方法,其中,依位置检测器(17)所供给之讯号调整脉冲时间及/或脉冲长度及/或脉冲频率及/或脉冲功率。8.如申请专利范围第7项之方法,其中,藉位置检测器(17)之讯号触发所利用辐射(24)之脉冲体系。9.如申请专利范围第4项之方法,其中,藉电脑(22)之控制讯号调整所利用束(24)相对于转子体(1)之对准。10.如申请专利范围第1项之方法,其中,在及只要确定位置检测器(17)所发出讯号之最小及最大値间之差不再超过一既定界限时,中断校正装置(16)。11.如申请专利范围第1项之方法,其中,转子体(1)在测量时及在质量分布改变时,以其额定速度旋转。12.如申请专利范围第1项之方法,其中,转子体(1)予以支承在一被动超导磁铁轴承(12,25)。13.如申请专利范围第1项之方法,其中,使用一镜多面体(7)作为转子体(1)。14.如申请专利范围第1项之方法,其中,使用一雷射束作为转子体(1)。15.一种供实施申请专利范围第1项之方法之装置,有一转子体(1),可藉一驱动单元使其旋转,并且其在其外部圆周有至少一反射面(13),有一轴承装置(10,12;12,25)供在旋转时自由飘浮支承转子体(1),一光源(6)供产生一测量束(5),其可予以导至转动转子体(1)之至少一反射面(13),一位置检测器(17)供检测测量束(5)藉反射面(13)反射,一装置(18)供固定检测转子体(1)之旋转角度位置,一校正装置(16)可藉其以一种非接触方式改变在转子体(1)之质量分布,并有一电脑(22)位置检测器(17)及供固定检测转子体(1)之旋转角度位置之装置(18)连接至其输入,并且其供给控制讯号至校正装置(16)。16.如申请专利范围第15项之装置,其中,设有一雷射产生器作为校正装置(16)。17.如申请专利范围第16项之装置,其中,设有一ND-YAG雷射产生器或一激元雷射产生器作为雷射产生器(16)。18.如申请专利范围第15项之装置,其中,设有一脉动雷射产生器(16)。19.如申请专利范围第15项之装置,其中,设有一CCD-阵列作为位置检测器(17)。20.如申请专利范围第15项之装置,其中,供产生测量束之装置(5)为一雷射产生器。21.如申请专利范围第15项之装置,其中,供产生测量束之装置(5)以一种致使束之入射点在至少一反射面(13)之取向可予以位置调整之方式予以设置。22.如申请专利范围第15项之装置,其中,转子体(1)为一镜多面体(7)。23.如申请专利范围第15项之装置,其中,设有一被动超导磁铁轴承(12,25)作为轴承装置。24.如申请专利范围第15项之装置,其中,设有一多面体扫描器(7)于一主动磁铁轴承中。25.如申请专利范围第15项之装置,其中,设有一流体轴承作为轴承装置。图式简单说明:第一图示通过一根据本发明之装置之(概略)剖面图,在一主动磁性轴承有一碟形镜多面体作为转子体;第二图示第一图中之镜多面体之顶视图,有一反射测量束之束路径之视图;第三图示一根据本发明之装置之(概略)剖面图,在一被动及轴向磁铁轴承有一镜多面体作为转子体;第四图为曲线图,示旋转镜多面体之锥形误差之组份;第五图为对应于第四图之曲线图,但在补偿颤动误差后;以及第六图示在一种根据本发明之方法,供雷射消融之校正装置之脉动雷射源之脉冲序列及雷射辐射之脉冲序列。 |
