| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包括:形成复数个孔,且配线图案被形成在其中一方之面的同时,还以前述配线图案的一部份会与前述孔重叠的方式所形成之至少一个基板、和具有复数个电极,并被载置在前述基板之另一方的面之至少一个第1半导体晶片、和有复数个电极,并被载置在前述一方的面之至少一个第2半导体晶片、和被配置在前述孔内,欲与前述第1半导体晶片的前述电极和前述配线图案电气连接之导电构件。2.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,前述第1半导体晶片和前述第2半导体晶片均具有平面的重叠部。3.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体装置,前述第1及第2半导体晶片的至少一方之前述电极和前述配线图案,可用连线焊接被连接。4.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体装置,前述第1及第2半导体晶片的至少一方,可被面朝下接合。5.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,前述第1及第2半导体晶片,是被面朝下接合;前述第1的半导体晶片之前述电极,可向着前述孔被配置。6.如申请专利范围第5项所记载之半导体装置,可在前述基板与前述第1半导体晶片之间,设置树脂。7.如申请专利范围第5项所记载之半导体装置,可在前述基板与前述第2半导体晶片之间,设置树脂。8.如申请专利范围第5项所记载之半导体装置,前述树脂为含有导电粒子的各向异性导电材料。9.如申请专利范围第5项所记载之半导体装置,前述基板设有复数个任一对前述基板的各个前述配线图案之一部份,彼此呈相对式配置,前述配线图案就可彼此被电气连接。10.如申请专利范围第5项所记载之半导体装置,前述基板可被弯曲。11.如申请专利范围第10项所记载之半导体装置,前述第1半导体晶K和前述第2半导体晶片的至少任一方系设有复数个;设有复数个之前述一方的各半导体晶片可堆叠。12.如申请专利范围第5项至第11项之任一项所记载之半导体装置,前述导电构件为积层的复数个凸块。13.如申请专利范围第5项至第11项之任一项所记载之半导体装置,前述第1半导体晶片的外形等于前述第2半导体晶片的外形。14.如申请专利范围第13项所记载之半导体装置,前述第2半导体晶片可相对于前述第1半导体晶片,而具有镜面对称的电路构造。15.如申请专利范围第5项至第11项之任一项所记载之半导体装置,前述第2半导体晶片的电极,可以在前述孔上,与前述配线图案连接。16.如申请专利范围第5项至第11项之任一项所记载之半导体装置,前述第2半导体晶片的电极,可在避开前述孔之上的位置,与前述配线图案连接。17.如申请专利范围第10项所记载之半导体装置,可在载置前述基板之前述半导体晶片之区域以外的区域,形成与前述半导体晶片电气连接的复数个外部端子。18.如申请专利范围第9项所记载之半导体装置,复数个外部端子可以避开载置前述第1及第2半导体晶片中之至少一方的区域,而被形成在前述配线图案上。19.如申请专利范围第18项所记载之半导体装置,前述外部端子可以被设在前述一对配线图案的一部份,彼此连接的区域中之任一方的前述配线图案上。20.如申请专利范围第17项至第19项之任一项所记载之半导体装置,可在前述基板,形成复数个贯通孔;前述配线图案的一部份,会通过前述贯通孔上;前述外部端子可介于前述贯通孔,突出前述基板的前述第1半导体晶片侧。21.一种电路基板,其特征为载置申请专利范围第1.2.5.6.7.8.9.10.11.17.18.19项之任一项所记载之半导体装置。22.一种电子机器,其特征为具有申请专利范围第1.2.5.6.7.8.9.10.11.17.18.19项之任一项所记载之半导体装置。23.一种半导体装置之制造方法,其包括:在具有复数个孔、被形成在其中一方的面,其一部份通过前述孔之上的配线图案之基板中的另一方之面,载置第1半导体晶片之工程、和将第2半导体晶片,载置在前述基板中的前述配线图案的形成面之工程;在载置前述第1半导体晶片的工程,向着前述孔配置前述第1半导体晶片的电极,藉由被设在前述孔内侧之导电构件,与前述电极和前述配线图案电气连接。24.如申请专利范围第23项所记载之半导体装置之制造方法,前述导电构件系至少有一个凸块;更包括可将前述凸块预先设在前述第1半导体晶片的电极之工程。25.如申请专利范围第23项所记载之半导体装置之制造方法,更包括可在搭载前述基板中的前述第1半导体晶片的区域,设置树脂之工程。26.如申请专利范围第25项所记载之半导体装置之制造方法,包括可在载置前述基板中的前述第2半导体晶片的区域,设置树脂之工程。27.如申请专利范围第26项所记载之半导体装置之制造方法,可在前述基板与前述第1半导体晶片之间、和前述基板与前述第2半导体晶片之间,各自同时进行设置前述树脂之工程。28.如申请专利范围第25项所记载之半导体装置之制造方法,包括在设置前述树脂之工程后,将前述第1及第2半导体晶片搭载在前述基板,并将与向着各个前述第1及第2半导体晶片中的前述基板侧之面相反的面,进行加压及加热之工程。29.如申请专利范围第23项至第28项之任一项所记载之半导体装置之制造方法,前述第2半导体晶片可相对于前述第1半导体晶片而具有镜面对称之电路构造。30.如申请专利范围第23项至第28项之任一项所记载之半导体装置之制造方法,将前述第2半导体晶片的电极,在前述孔上,与前述配线图案连接。31.如申请专利范围第23项至第28项之任一项所记载之半导体装置之制造方法,可将前述第2半导体晶片的电极,在避开前述孔之上的位置,与前述配线图案连接。32.一种半导体装置之制造装置,包括:在从向着与藉由树脂载置在基板两面的复数个半导体晶片的前述基板侧之面相反的面,隔着间隔被配置之第1及第2治具;前述第1及第2治具系具备有:加压前述半导体晶片之前述相反侧的面之面、和使热传递到前述半导体晶片之加热手段;隔着各个半导体晶片,各别同时加压及加热,当前述基板上的树脂出现接着力时,就会令前述半导体晶片实装在前述基板上。图式简单说明:第1图系表示有关适用本发明之第1实施形态之半导体装置图。第2A图-第2C图系为说明本发明之第1实施形态中的导电线接合工程图。第3A图及第3B图系为说明本发明之第1实施形态中的导电构件之形成方法图。第4图系表示有关适用本发明之第1实施形态之半导体装置之制造方法图。第5图系表示有关适用本发明之第2实施形态之半导体装置图。第6图系表示有关适用本发明之第3实施形态之半导体装置图。第7图系表示有关适用本发明之第3实施形态之变形例之半导体装置图。第8图系表示有关适用本发明之第3实施形态之变形例之半导体装置图。第9图系表示有关适用本发明之第3实施形态之变形例之半导体装置图。第10图系表示有关适用本发明之第4实施形态之半导体装置图。第11图系表示有关适用本发明之第5实施形态之半导体装置图。第12图系表示有关适用本发明之第5实施形态之半导体装置图。第13图系表示有关适用本发明之第5实施形态之变形例之半导体装置之一部份图。第14图系表示有关适用本发明之第6实施形态之半导体装置图。第15图系表示有关适用本发明之第6实施形态之变形例之半导体装置图。第16图系表示适用本发明之电路基板图。第17图系表示具有有关本发明之半导体装置之电子机器图。第18图系表示具有有关本发明之半导体装置之电子机器图。 |
