| 主权项 |
1.一种制作两种闸极绝缘层厚度的方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其包含有一绝缘层系覆盖于该半导体基底之表面上,以及一具有预定图案之光阻层系定义形成于该绝缘层表面上;(b)对该光阻层进行一氧化处理;(c)进行一湿蚀刻制程,将未被该光阻层覆盖之绝缘层去除至一预定厚度;以及(d)进行一光阻剥除制程,将该光阻层完全去除。2.如申请专利范围第1项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该氧化处理系于一低功率操作之氧气环境中进行。3.如申请专利范围第2项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该氧化处理之功率范围为150-350W。4.如申请专利范围第2项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该氧化处理系使用氧电浆进行10-20秒。5.如申请专利范围第1项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该半导体基底内另包含有至少一浅沟隔离区,用来将该半导体基底区分成至少二个主动区域。6.如申请专利范围第4项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该具有预定图案之光阻层系定义形成于其中一个主动区域之绝缘层表面上。7.如申请专利范围第1项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该绝缘层系由氧化矽所构成。8.如申请专利范围第1项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该湿蚀刻制程系使用氢氟酸(HF)作为蚀刻溶液。9.如申请专利范围第1项所述之制作两种闸极绝缘层厚度的方法,其中该光阻剥除制程系使用硫酸(H2SO4)作为蚀刻溶液。图式简单说明:第1A至1C图显示习知制作两种闸极绝缘层厚度的方法的剖面示意图。第2A至2C图显示本发明制作两种闸极绝缘层厚度的方法的剖面示意图。第3图系为本发明制作两种闸极绝缘层厚度的流程图。 |
