| 主权项 |
1.一种半导体元件,包括:一半导体基底;一第一绝缘层,形成于半导体基底上;一复晶矽层,形成于该第一绝缘层;复数个熔丝层,形成于该复晶矽层上方;一第二绝缘层,环绕着该些熔丝层;以及一开口,形成于该第二绝缘层上及该些熔丝层上方。2.一种半导体元件,包括:一半导体基底;一第一绝缘层,形成该半导体基底上;一复晶矽层,形成于该第一绝缘层且被定义于一预定之区域;一第二绝缘层,覆盖住该复晶矽层;复数个熔丝层,形成于该第二绝缘层上及该复晶矽层上方;一第三绝缘层,形成在该些熔丝层上;以及一开口,形成于该第三绝缘层上及该些熔丝层上方。3.一种半导体元件,具有复数个金氧半导体电晶体及复晶矽位元线,包括:一半导体基底;一第一绝缘层,形成该半导体基底上;一复晶矽层,形成于该第一绝缘层且被定义于一预定之区域,该复晶矽层与该些电晶体之闸极同时形成;一第二绝缘层,覆盖住该复晶矽层;复数个熔丝层,形成于该第二绝缘层上及该复晶矽层上方,该熔丝层与该些位元线同时形成;一第三绝缘层,形成在该些熔丝层上;以及一开口,形成于该第三绝缘层上及该些熔丝层上方。4.一种于半导体基底上制造具有复数个熔丝之记忆元件的方法,包括下列步骤:形成一第一绝缘层于该半导体基底上;沉积一复晶矽层于该第一绝缘层上,且被定义于一预定之区域;沉积一第二绝缘层,覆盖住该复晶矽层;形成复数个熔丝层于该第二绝缘层上与该复晶矽层上方;沉积一第三绝缘层于该些熔丝层上;以及形成一开口于该第三绝缘层上及该些熔丝层上方。图式简单说明:第1图绘示出一半导体记忆元件中,一般熔丝的排列;第2图至第3图为第1图中,沿着线A-A'之截面图;第4图系一俯视图,绘示出本发明中,一半导体记忆元件之熔丝排列及图案;以及第5图系第4图中,沿着B-B'之截面图。 |
