| 主权项 |
1.一种半导体积体电路,其特征为具备:切换装置,在半导体基板上形成,和某信号对应的开闭;及变容二极体装置,在半导体基板上形成,具有按照该信号之电压位准之可变电容,而且藉着在该信号转移时在和该切换装置之间交换电荷,协助该切换装置之高速状态转移。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该变容二极体装置在和该切换装置相邻之位置形成。3.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该变容二极体装置之电容变化范围系该切换装置之电容变化范围之1~2倍。4.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该变容二极体装置对该切换装置之配设限定为高速信号系。5.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该变容二极体装置对该切换装置之配设限定为输出入电路。6.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该切换装置系MOS电晶体。7.如申请专利范围第6项之半导体积体电路,其中,该变容二极体装置系MOS变容二极体。8.如申请专利范围第7项之半导体积体电路,其中,该MOS变容二极体系加强型。9.如申请专利范围第7项之半导体积体电路,其中,该MOS变容二极体系耗尽型。10.如申请专利范围第6项之半导体积体电路,其中,该变容二极体装置系pn接面型变容二极体。11.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该切换装置系p通道型MOS电晶体,而且该变容二极体装置系p通道型变容二极体。12.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该切换装置系n通道型MOS电晶体,而且该变容二极体装置系n通道型变容二极体。13.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中,该切换装置系双极性电晶体,而且该变容二极体装置系pn接面型变容二极体。图式简单说明:图1系表示本发明之半导体积体电路之第一基本构造例之电路图。图2系图1之半导体积体电路之剖面构造图。图3(A)及图3(B)系表示图1中之各装置之电容相对电压之特性图。图4系表示本发明之半导体积体电路之第二基本构造例之电路图。图5系图4之半导体积体电路之剖面构造图。图6(A)及图6(B)系表示图4中之各装置之电容相对电压之特性图,图6(C)系表示图4中之p通道型MOS变容二极体之别的电容相对电压之特性图。图7系表示本发明之半导体积体电路之第三基本构造例之电路图。图8系图7之半导体积体电路之剖面构造图。图9系表示图7中之各变容二极体之电流相对电压之特性及电容相对电压之特性之图。图10系表示本发明之半导体积体电路之第四基本构造例之电路图。图11系图10之半导体积体电路之剖面构造图。图12系本发明之半导体积体电路之电源及可驱动性之说明图。 |
