发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 本发明系采用一种先在具有吸光基板(AbsorptionSubstrate,AS)的发型欧姆接触光二极体磊晶层上形成欧姆接触电极,再将此磊晶层及透明基板(TransparentSubstrate,TS)以不吸光的透明黏接层来黏结。将吸光的基板除去,以形成具有欧姆接触电极及透明基板的发光二极体。该发光二极体之结构包含一隔绝沟渠(isolationtrench)或隔绝岛(isolationisland)方式,使形成于下包覆层上之两个钉线电极在其两侧,其中一钉线藉由一通道连接至欧姆接触电极层上的欧姆接点金属电极层,因此两个钉线电极高度相同,易于Flipchip的封装。
申请公布号 TW200408142 申请公布日期 2004.05.16
申请号 TW091132947 申请日期 2002.11.08
申请人 国联光电科技股份有限公司 发明人 林锦源
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 李长铭;翁仁滉
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十号九楼