发明名称 同步半导体记忆装置中产生输出控制信号之电路与方法
摘要 一种同步半导体记忆装置中之输出控制信号产生电路包含1)复数个可选择时脉信号传输电路,选择延迟一施加的时脉信号,以便产生一输出控制时脉信号,以反应一预定CAS潜伏时间信号,其中该复数个可选取时脉信号传输电路的各个将一个或多个时间延迟插入输出控制时脉信号,2)一取样电路,产生复数个来自一主读取信号的输出信号,及3)一选择电路,选取复数个输出信号的其中一个,藉此指示一正确的资料输出时间区间。一种用来操作输出控制信号产生电路的方法,产生一个将由可选择数目的附加时脉周期所延迟的时脉信号,藉此当资料正确时,确保仅一次输出一资料信号。
申请公布号 TW200407893 申请公布日期 2004.05.16
申请号 TW091133130 申请日期 2002.11.12
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 申相雄
分类号 G11C11/4076 主分类号 G11C11/4076
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国