| 摘要 |
Ein bipolarer Hochfrequenztransistor besitzt einen Halbleiterchip, Emitter-, Basis- und Kollektorelektroden für den Halbleiterchip, Bonddrähte, die Bondinseln des Halbleiterchips mit der Emitter-, der Basis- und der Kollektorelektrode verbinden, und einen Dichtungskörper aus synthetischem Harz, der den Halbleiterchip, die Elektroden und die Bonddrähte abdichtet. Der Halbleiterchip ist auf der Emitterelektrode angeordnet und die Basiselektrode und die Kollektorelektrode sind eine an jeder Seite der Emitterelektrode angeordnet. |
