| 发明名称 |
FLASH MEMORY CELL FORMING METHOD BY A SELF-ALIGNED SOURCE ETCHING |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR100464904(B1) |
申请公布日期 |
2004.12.24 |
| 申请号 |
KR19970051948 |
申请日期 |
1997.10.10 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, SEONG SIN |
| 分类号 |
H01L21/306;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
