| 发明名称 | 薄膜场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有MIS结构的薄膜场效应晶体管中，制作半导体层和绝缘层的材料是聚合物，该聚合物可溶解于有机溶剂，并具有大于2,000至1,000,000的加权平均分子量。使用聚合物用作TFT的半导体层和绝缘层，就消除了现有技术的电路形成技术中使用光刻胶制图案和蚀刻等处理，减少了TFT缺陷概率，降低了TFT的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1599077A | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN200410089945.1 | 申请日期 | 2004.08.27 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 福井育生 |
| 分类号 | H01L29/772;H01L21/335 | 主分类号 | H01L29/772 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种薄膜场效应晶体管，具有金属-绝缘体-半导体结构，其中制作半导体层和绝缘层的材料是聚合物，该聚合物可溶解于有机溶剂，并具有大于2,000至1,000,000的加权平均分子量。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||