发明名称 |
Halbleiter-Speicherzellenpaar |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Speicherzellenpaar mit verringertem Flächenbedarf, wobei jedes Halbleiter-Speicherzellenpaar eine gemeinsame Auswahltransistor-Wortleitung (WLAT) und eine erste und zweite Wortleitung (WL1, WL2) aufweist. Bitleitungen (BL1, BL2) sind mit einem aktiven Bereich (AA) verbunden, der an sich mit den Wortleitungen überlappenden Bereichen Auswahltransistorbereiche (AT1, AT2), Zelltransistorbereiche (ZT1, ZT2) und Tunnelfensterbereiche (TF1, TF2) ausbildet. Durch die im wesentlichen ringförmige Struktur des aktiven Bereiches (AA) ergibt sich eine wesentliche Flächenersparnis.
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申请公布号 |
DE19929619(A1) |
申请公布日期 |
2001.03.15 |
申请号 |
DE19991029619 |
申请日期 |
1999.06.28 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
WAWER, PETER;HEITZSCH, OLAF;ROEHRICH, MAYK;SPRINGMANN, OLIVER;HUCKELS, KAI;STEIN VON KAMIENSKI, ELARD |
分类号 |
H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115;G11C16/06 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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